[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，包含有：

提供一载板，其上具有一金属层；

在所述金属层上形成一第一钝化层；

形成一重分布层在所述第一钝化层上与多个焊球垫于所述第一钝化层内；

在所述重分布层上形成一第二钝化层；

在所述第二钝化层上设置至少一半导体晶粒；

将所述半导体晶粒模封在一模塑料中；

去除所述载板，显露出所述金属层的一下表面；

图案化所述金属层，形成一凸块下金属层；

在所述第一钝化层上形成一防焊层；以及

在所述焊球垫上形成多个焊锡凸块或锡球。

2.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，在所述重分布层上形成所述第二钝化层之后，另包含有：

在所述第二钝化层中形成多个凸块，其中所述半导体晶粒是通过所述多个凸块电连接所述重分布层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述防焊层包含多个开孔，其中各所述开孔显露出所述凸块下金属层。

4.根据权利要求3所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，各所述焊锡凸块或锡球是直接接触所述凸块下金属层。

5.根据权利要求4所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述凸块下金属层仅形成在各所述开孔的底面上。

6.根据权利要求4所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述凸块下金属层不向上延伸到各所述开孔的垂直侧壁上。

7.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述凸块下金属层包含镍、金或铜。

8.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述第一钝化层包含聚酰亚胺、氮化硅或氧化硅。

9.根据权利要求1所述的制造半导体封装的方法，其特征在于，所述第二钝化层包含聚酰亚胺、氮化硅或氧化硅。

10.一种半导体封装，包含有：

一重分布层中介层，具有一第一面及一第二面，所述第二面相对于所述第一面，其中所述重分布层中介层包含一第一钝化层、至少一介电层，位在所述第一钝化层上、一金属层，位在所述介电层中、一第二钝化层，位在所述介电层上，以及多个焊球垫，位在所述第一钝化层中；

至少一半导体晶粒，安装在所述重分布层中介层的所述第一面上；

一模塑料，在所述重分布层中介层的所述第一面上，围绕所述至少一半导体晶粒；

一防焊层，覆盖所述第一钝化层的一下表面，并通过位在所述防焊层中的多个开孔显露出所述多个焊球垫；

一凸块下金属层，设在各所述多个开孔的底部；以及

一焊锡凸块或锡球，设在各所述多个开孔的底部的所述凸块下金属层上。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述焊锡凸块或锡球 是直接接触所述凸块下金属层。

12.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述凸块下金属层仅形成在各所述开孔的所述底面上。

13.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述凸块下金属层不向上延伸到各所述开孔的垂直侧壁上。

14.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述凸块下金属层包含镍、金或铜。

15.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述第一钝化层包含聚酰亚胺、氮化硅或氧化硅。

16.根据权利要求10所述的半导体封装，其特征在于，所述第二钝化层包含聚酰亚胺、氮化硅或氧化硅。