[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

半导体衬底；

突出于所述半导体衬底的一个或多个鳍片，其中每个鳍片的侧边形成有沟槽；

部分地填充所述沟槽的第一绝缘物层，其中所述鳍片突出于所述第一绝缘物层；以及

覆盖在所述鳍片上的第二绝缘物层；

在所述第二绝缘物层上形成分别包绕所述鳍片的一部分的多个伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于所述第二绝缘物层上的伪栅极，所述多个伪栅极结构至少包括间隔开的第一伪栅极结构和第二伪栅极结构；所述第二伪栅极结构位于所述鳍片的边缘角部上，并且所述第二伪栅极结构的一部分在所述第一绝缘物层上；

在所述第一绝缘物层和所述第二绝缘物层上，分别在所述多个伪栅极结构的两侧形成间隔物；

蚀刻未被所述间隔物和所述伪栅极覆盖的所述第二绝缘物层和所述鳍片的至少一部分以在所述鳍片中形成凹陷；

在所述凹陷中形成源极或漏极；

其中，所述多个伪栅极结构还包括与所述第一伪栅极结构间隔开的第三伪栅极结构；其中所述第二伪栅极结构与所述第三伪栅极结构分别位于所述第一伪栅极结构的两侧；所述第三伪栅极结构位于所述鳍片的边缘角部上，并且所述第三伪栅极结构的一部分在所述第一绝缘物层上；

所述第二伪栅极结构与所述第一伪栅极结构间隔开第一距离，所述第一距离的范围为60至100nm；所述第三伪栅极结构与所述第一伪栅极结构间隔开第二距离，所述第二距离的范围为60至100nm；

所述一个或多个鳍片包括用于形成PMOS器件的第一鳍片和用于形成NMOS器件的第二鳍片；

其中，在所述第一鳍片上的源极或漏极的材料包括锗硅；在所述第二鳍片上的源极或漏极的材料包括碳化硅。

2.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述形成凹陷的步骤包括：

所述蚀刻在所述鳍片中形成位于所述第一伪栅极结构与所述第二伪栅极结构之间的第一凹陷以及位于所述第一伪栅极结构与所述第三伪栅极结构之间的第二凹陷。

3.根据权利要求2所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述凹陷中形成源极或漏极的步骤包括：

在所述第一凹陷中形成源极以及在所述第二凹陷中形成漏极。

4.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述伪栅极的材料包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述伪栅极结构还包括位于所述伪栅极上的硬掩模层。

6.根据权利要求5所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述硬掩模层的材料包括氮化硅。

7.根据权利要求5所述半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

形成层间电介质层以覆盖形成源极或漏极后的衬底结构；

对所述层间电介质层进行回蚀刻，以露出所述硬掩模层的上表面；

去除所述硬掩模层、所述伪栅极和所述第二绝缘物层的一部分以形成开口；以及

在所述开口中形成栅极结构。

8.根据权利要求7所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述栅极结构包括：

在所述鳍片上且包绕所述鳍片的一部分的栅极绝缘物层和在所述栅极绝缘物层上的栅极。

9.根据权利要求1所述半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述鳍片为N型阱区，所述源极或所述漏极的材料包括锗硅；或者

所述鳍片为P型阱区，所述源极或所述漏极的材料包括碳化硅。