[发明专利]一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法

权利要求书

1.一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、选取衬底；

步骤二、将衬底置入配备有电子束的真空腔内，所述电子束加速电压小于300keV，电子束束斑大小能够在1纳米-500微米内选择，且电子束束斑内的强度分布具有高斯分布的特征；

步骤三、确定待制备孔道的位置和大小，将电子束束斑中心与孔道中心重合，选择电子束束斑大小，使电子束的直径为所需孔道的外径；

步骤四、通入气体源，控制气体的流量以及真空腔的气压，使电子束诱导沉积过程为扩散控制的过程，也即气体源中的分子通过衬底表面扩散至电子束束斑位置后进行分解并形成材料淀积；

步骤五、采用步骤二所述电子束进行辐照；

步骤六、停止辐照，在衬底两侧获得环状孔道结构；

步骤七、对环状孔道结构的内孔内淀积的材料和衬底进行刻蚀，使孔道结构内孔范围内部淀积的材料和衬底刻蚀掉形成通孔，则衬底两侧的孔道结构连成一体，得到纳米管道。

2.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，所述步骤七，具体方法如下：采用离子束，将离子束定位在环状孔道结构的内孔内进行刻蚀，使孔道结构内孔范围内部淀积的材料和衬底材料刻蚀掉形成通孔，使衬底两侧的孔道结构连成一体，制备得到纳米管道。

3.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，所述步骤七，具体方法如下：使用化学刻蚀的方法对环状孔道结构的内孔内淀积的材料和衬底进行刻蚀，使孔道结构内孔范围内部淀积的材料和衬底材料刻蚀掉形成通孔，则衬底两侧的孔道结构连成一体，得到纳米管道。

4.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，步骤一所述衬底为硅薄膜、碳薄膜、硫化钼薄膜或氧化硅薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，所述衬底厚度小于100纳米。

6.根据权利要求5所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，所述衬底厚度小于10纳米。

7.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，步骤四所述气体源是挥发性有机物气体。

8.根据权利要求1所述的一种利用电子束诱导淀积制备纳米管道的方法，其特征在于，步骤五所述电子束的辐照强度大于10 A/cm²，辐照时间大于1秒。