[发明专利]一种避免吸附柱再生延时生产工艺

权利要求书

1.一种避免吸附柱再生延时生产工艺，用于在吸附塔内完成对多晶硅尾气的净化，若干个吸附塔相互串联逐级完成净化，所述吸附柱位于吸附塔内用于净化生产多晶硅时产生的尾气，其特征在于，所述避免吸附柱再生延时生产工艺包括以下步骤：

第一步：将尾气输入吸附塔中并对吸附塔进行泄压及加热；

第二步：维持第一步产生的条件，通过吸附柱净化尾气，以获得提纯后的再生氢气，所述再生氢气的一部分进入相邻吸附塔作为第一步骤中的尾气输入后再次净化；

第三步：完成第二步之后增加吸附塔内的压力,并将另一部分再生氢气反吹进入吸附塔对吸附柱进行吹扫和降温，使吸附柱获得再生。

2.如权利1要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述吸附塔包括尾气入口和尾气出口，所述尾气入口连接氢气供给装置和再生氢气回收装置，所述尾气出口连接氢气回收装置和纯氢接入装置。

3.如权利2要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述尾气入口与再生氢气回收装置之间并列安装有再生氢气出口切断阀以及氢气冷却调节阀，再生氢气反吹进入吸附塔时，再生氢气出口切断阀处于关闭状态并且氢气冷却调节阀处于打开状态。

4.如权利2要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述尾气出口与纯氢接入装置之间设有再生氢气入口切断阀、尾气出口与氢气回收装置之间设有氢气出口切断阀，再生氢气反吹进入吸附塔时，再生氢气入口切断阀处于打开状态并且氢气出口切断阀处于关闭状态。

5.如权利4要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述氢气出口切断阀与氢气回收装置之间安装有氢气过滤器。

6.如权利4要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述氢气回收装置和再生氢气入口切断阀之间设有再生氢气压力调节阀。

7.如权利1要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述经过第一步骤泄压并加热所需时间为140分钟，泄压后吸附塔内的压力值为0.05Mpa。

8.如权利1要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述第二步骤吸附柱净化尾气所需的时间为215分钟，且吸附塔内的温度维持在120℃以上。

9.如权利1要求所述的避免吸附柱再生延时生产工艺， 其特征在于：所述第三步骤进行的时间为140分钟，经过降温后吸附塔内的温度小于50℃。