[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610219710.2 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105789221B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;阿部贵征;宍户英明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘表面之上的第一栅电极；
所述第一栅电极之上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层之上的氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；
所述氧化物半导体层和所述源电极层和所述漏电极层之上的树脂层；
所述树脂层之上的绝缘层；以及
所述绝缘层之上的第二栅电极，
其中所述绝缘层包括从氮化硅、氧氮化硅和氮化氧化硅所组成的组中选择的一个化合物。
2.一种半导体装置，包括：
绝缘表面之上的第一栅电极；
所述第一栅电极之上的栅绝缘层；
所述栅绝缘层之上的氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层之上的源电极层和漏电极层；
所述氧化物半导体层和所述源电极层和所述漏电极层之上的树脂层；
所述树脂层之上的绝缘层；以及
所述绝缘层之上的第二栅电极，
其中所述绝缘层包括从氮化硅、氧氮化硅和氮化氧化硅所组成的组中选择的一个化合物，以及
其中在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上，所述第一栅电极和所述第二栅电极超出所述氧化物半导体层的侧边缘而延伸。
3.根据权利要求1或2的半导体装置，还包括：
在所述氧化物半导体层和所述源电极层之间的第一缓冲层，以及
在所述氧化物半导体层和所述漏电极层之间的第二缓冲层。
4.根据权利要求3的半导体装置，还包括：
电连接到所述源电极层或所述漏电极层的阴极；
所述阴极之上的发光层；以及
所述发光层之上的阳极。
5.根据权利要求1或2的半导体装置，其中所述第二栅电极与所述氧化物半导体层和所述第一栅电极重叠。
6.根据权利要求1或2的半导体装置，其中在所述氧化物半导体层的沟道长度方向上，所述第二栅电极的宽度大于所述第一栅电极的宽度。
7.根据权利要求1或2的半导体装置，其中在所述氧化物半导体层的沟道长度方向上，所述第二栅电极的宽度大于所述氧化物半导体层的宽度。
8.根据权利要求1或2的半导体装置，其中所述第二栅电极处于浮动状态。
9.根据权利要求1或2的半导体装置，其中所述第二栅电极是0V的固定电位。
10.根据权利要求1或2的半导体装置，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极具有相同的电位。
11.根据权利要求1或2的半导体装置，其中所述第二栅电极电连接到所述第一栅电极。
12.根据权利要求1或2的半导体装置，
其中所述源电极层和所述漏电极层之一与所述氧化物半导体层和所述第二栅电极直接接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610219710.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
