[发明专利]贯穿包括结构和制造方法的高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质层的屏蔽电触点和掺杂

权利要求书

1.一种用于形成太阳能电池结构的方法，包括：

提供纹理衬底，所述纹理衬底包括具有尖峰的纹理结构；

在所述纹理衬底之上提供钝化电介质层；

在所述尖峰处形成屏蔽触点，所述形成包括从所述纹理衬底的所述尖峰之上至少部分优先减薄所述钝化电介质层，所述优先减薄包括：

将电偏压引入到所述纹理衬底中，所述电偏压导致所述尖峰处优先增大的电场强度；

朝向所述纹理衬底之上的所述钝化电介质层定向离子，其中所述尖峰处的所述增大的电场强度优先朝向所述尖峰定向所述离子，由此优先减薄所述尖峰之上的所述钝化电介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中对所述尖峰之上的所述钝化电介质层的所述优先减薄留下所述尖峰之上的所述钝化电介质层的优先减小的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述尖峰之上的所述钝化电介质层的所述优先减小的部分限定隧道势垒，所述隧道势垒具有的厚度被选择为容许具有一种极性类型的电载流子通过，并阻止具有相反极性类型的电载流子通过。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述隧道势垒的所选择的厚度在5埃至50埃之间。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述钝化电介质层之上，包括在限定所述隧道势垒的所述钝化电介质层的所述优先减小的部分之上，提供导电层，其中经由所述一种极性类型的所述电载流子贯穿所述隧道势垒的隧穿，所述导电层在所述纹理结构处具有至所述纹理衬底的电接触。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述隧道势垒通过阻止所述相反极性的电载流子通过，而减少了形成于所述尖峰处的所述屏蔽触点处或附近的电载流子复合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中对所述尖峰之上的所述钝化电介质层的所述优先减薄包括从所述尖峰之上完全去除所述钝化电介质层，以形成暴露所述尖峰的受控触点开口，并且其中形成所述屏蔽触点还包括：

在所述钝化电介质层之上，包括在所暴露的尖峰之上，提供导电层，所述导电层包括具有一种极性类型的掺杂剂；以及

将所述掺杂剂的至少部分从所述导电层扩散到所述尖峰中，以方便形成所述屏蔽触点，所述尖峰中的所述掺杂剂容许具有所述一种极性类型的电载流子在所述纹理衬底与所述导电层之间流动，并防止具有相反极性类型的电载流子在所述纹理衬底与所述导电层之间流动。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述纹理结构的所述尖峰中的所述掺杂剂减少了以下位置处或附近的电载流子复合：所述尖峰和所述尖峰之上的所述导电层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中贯穿所述受控触点开口扩散的所述掺杂剂在所述纹理衬底内形成连续的P-N结。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电层通过所述钝化电介质层中的所述受控触点开口直接接触所述纹理衬底的所述尖峰。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述将电偏压引入到所述纹理衬底中包括将直流(DC)偏压引入到所述纹理衬底中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述将电偏压引入到所述纹理衬底中包括将射频(RF)偏压引入到所述纹理衬底中。

13.一种太阳能电池结构，包括：

具有主表面的纹理衬底，所述主表面包括纹理结构，所述纹理结构具有远离所述纹理衬底突出的尖峰；

所述纹理衬底之上的钝化电介质层，所述钝化电介质层包括减小厚度的区域，每一个减小厚度的区域设置于所述纹理结构的所述尖峰中的各自尖峰之上；

导电层，在所述钝化电介质层之上，包括在所述纹理结构的所述尖峰之上；以及

至少部分贯穿所述纹理结构导电连接至所述纹理衬底的屏蔽触点，所述屏蔽触点设置在所述钝化电介质层的所述减小厚度的区域处，并且在所述纹理结构的所述尖峰之上对准，其中所述钝化电介质层的优先减小的部分容许具有一种极性类型的电载流子在所述导电层与所述纹理结构的所述尖峰之间流动，并阻止具有相反极性类型的电载流子贯穿其流动。

14.根据权利要求13所述的结构，其中所述尖峰之上的所述钝化电介质层的所述减小厚度的区域限定隧道势垒，所述隧道势垒具有的厚度容许具有所述一种极性类型的电载流子通过，并阻止具有所述相反极性类型的电载流子通过。