[发明专利]一种功率模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610194446.1 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN107293495B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 熊辉;陈燕平;袁勇;时海定;忻兰苑;蒋云富;刘敏安;王世平;石廷昌;卢圣文;文驰 申请(专利权)人: 株洲中车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/40
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 张文娟;朱绘
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种功率模块制造方法,其特征在于,包括:

形成芯片单元,芯片单元包括:衬板和设置在衬板上的功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻;

将多个芯片单元设置在散热底板上,并在芯片单元上连接导电件;

在散热底板上环绕芯片单元设置铜排结构和电流传感器,铜排结构具有正极端部,负极端部和交流极端部,电流传感器套设在交流极端部上;

进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接,使得多个芯片单元构成半桥电路;

在铜排结构上设置隔板,隔板具有镂空图案,导电件穿过镂空图案;

在隔板上设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述在散热底板上设置铜排结构的步骤中包括:

在散热底板上设置底层壳体,底层壳体具有用于容纳电流传感器的突出结构;

将铜排结构交流极端部贯穿电流传感器;

将铜排结构粘接在所述散热底板上,并同时将电流传感器扣入底层壳体的突出结构内。

3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述铜排结构包括:复合在一起的三层铜排,所述正极端部,负极端部和交流极端部分别设置在三层铜排上,在进行芯片单元内部、芯片单元之间以及铜排结构和芯片单元之间的电位连接的步骤中包括:

基于半桥电路的电路逻辑,通过引线绑定进行芯片单元内部、芯片单元之间以及芯片单元与三层铜排的电位连接,使由多个芯片单元构成的半桥电路的正极、负极和交流极分别与对应设置有正极端部、负极端部和交流极端部的铜排层连接。

4.根据权利要求2或3所述的制造方法,其特征在于,在设置隔板的步骤中包括:

在底层壳体上设置中层壳体和隔板,中层壳体和隔板为一体结构,隔板具有导流结构、注胶孔和排气结构,中层壳体具有相对应底层壳体设置的突出结构,在将中层壳体设置于底层壳体上后,中层壳体的突出结构和底层壳体的突出结构组成的容置空间将电流传感器容纳于内;

通过导流结构和注胶孔向由底层壳体、散热底板和隔板构成的腔体内注入绝缘胶,使注入的绝缘胶覆盖腔体内的引线,腔体内空气通过排气结构排出;

使绝缘胶固化。

5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述导电件为弹簧信号针,在所述设置驱动电路板并连接导电件和驱动电路板的步骤中包括:

将控制电路板安装于隔板上,使穿过隔板镂空图案的弹簧信号针与所述驱动电路板构成二次针孔贯通结构;

焊接贯通触点,形成驱动电路板与芯片单元的垂直信号传递路径。

6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,在所述形成芯片单元的步骤中包括:

将焊料部署在衬板上的焊接区域;

在对应的焊接区域中分别放置功率芯片、栅极电阻与温敏电阻,进行真空焊接。

7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,在所述将多个芯片单元设置在散热底板上的步骤中包括:

同步进行芯片单元与散热底板之间,及芯片单元与导电件之间的焊接。

8.一种功率模块,其特征在于,包括:

壳体,其底部设置有散热底板;

多个芯片单元,其设置在所述散热底板上,所述芯片单元包括:衬板和设置在所述衬板上的功率芯片、栅极电阻以及温敏电阻;

铜排结构,其环绕所述芯片单元设置在所述散热底板上,所述铜排结构具有正极端部,负极端部和交流极端部,所述铜排结构与所述芯片单元连接,使得所述多个芯片单元构成半桥电路;

隔板,其设置在所述铜排结构上,所述隔板具有镂空图案;

驱动电路板,其设置在所述隔板上,所述驱动电路板通过穿过所述镂空图案的导电件与所述芯片单元连接;

电流传感器,其套设在所述交流极端部上。

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