[发明专利]硅基平面型三极管器件的制造方法和器件有效
| 申请号： | 201610189386.4 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105679669B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 宋敏 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 三极管 器件 制造 方法 | ||
1.一种硅基平面型三极管器件的制造方法，其特征在于，包括对晶片的上表面和下表面分别进行掺杂硼离子和磷离子，从而形成结构为p+-n-n+的平面型三极管的步骤；
形成结构为p+-n-n+的平面型三极管的步骤具体包括：
步骤1、利用微电机械系统在晶片中掺杂n型粒子从而提高晶片表面电阻率；
步骤2、将掺杂n型粒子后的晶片在氧化炉中高温处理，从而在晶片表面制作氧化层；
步骤3、利用光刻机在高温处理后的晶片表面做出微条状结构；
步骤4、通过中等能量离子注入机在经步骤3处理后的晶片顶部表面和底部表面分别注入硼离子和磷离子；
步骤5、对经步骤4处理后的晶片的顶部表面和底部表面在真空下采用磁控溅射方式生长铜电极。
2.根据权利要求1所述的硅基平面型三极管器件的制造方法，其特征在于，上述步骤1具体为：利用微电机械系统在晶片中掺杂n型粒子从而使晶片表面电阻率超过2000Ωcm。
3.根据权利要求2所述的硅基平面型三极管器件的制造方法，其特征在于，上述步骤2具体为：在1030℃下氧化炉中处理4小时，晶片表面制作的氧化层厚度为
4.根据权利要求3所述的硅基平面型三极管器件的制造方法，其特征在于，上述步骤4中注入硼离子的条件为：加速电压40Kev,粒子密度，注入磷离子的条件为：加速电压60Kev,粒子密度。
5.根据权利要求4所述的硅基平面型三极管器件的制造方法，其特征在于，上述步骤5中的真空为真空下。
6.一种硅基平面型三极管器件，其特征在于，采用权利要求1至5任一所述的硅基平面型三极管器件的制造方法制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
