[发明专利]氮化镓场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在器件的第一区域上制作晶体管的欧姆接触电极和栅极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；

在所述器件的表面上淀积第一PETEOS氧化层；

在所述器件的第二区域上对所述器件进行刻蚀，直至刻蚀掉部分所述衬底为止，形成穿通孔，其中，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；

在所述器件的表面上淀积金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成所述氮化镓场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在器件的第一区域上制作晶体管的欧姆接触电极和栅极，包括：

采用淀积工艺在所述器件的AlGaN势垒层表面上依次淀积氮化硅钝化层和第二PETEOS氧化层；

采用刻蚀工艺，对位于第三区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述氮化硅钝化层进行刻蚀，形成欧姆接触孔，其中，所述第三区域包含于所述第一区域；

采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积欧姆电极金属层；

采用刻蚀工艺，对所述欧姆电极金属层进行刻蚀，形成欧姆接触电极；

采用刻蚀工艺对第四区域内的第二PETEOS氧化层、氮化硅钝化层以及部分AlGaN势垒层进行刻蚀，形成栅极接触孔，所述栅极接触孔的直径小于所述第四区域的直径，且所述栅极接触孔所在的位置与所述欧姆接触电极所在的位置相离，其中所述第四区域包含于所述第一区域，且与所述第三区域的交集为空；

采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层栅极金属层，并通过刻蚀工艺对所述栅极金属层进行刻蚀，形成栅极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用淀积工艺在所述器件的AlGaN势垒层表面上依次淀积氮化硅钝化层和第二PETEOS氧化层，包括：

在温度小于300摄氏度的条件下，在所述AlGaN势垒层的表面上淀积所述氮化硅钝化层；

采用化学气相淀积的工艺在所述氮化硅钝化层的表面上淀积所述第二PETEOS氧化层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺，对位于第三区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述氮化硅钝化层进行刻蚀，形成欧姆接触孔，包括：

在所述第二PETEOS氧化层的表面上，位于所述第三区域以外的区域上涂抹一层光刻胶；

在光刻胶的遮挡下对所述第二PETEOS氧化层进行刻蚀直至露出所述氮化硅钝化层为止，形成第一氧化层开孔；

采用干法刻蚀工艺对所述第一氧化层开孔内的氮化硅钝化层进行刻蚀，直至露出所述AlGaN势垒层的表面为止，形成所述欧姆接触孔，并去除光刻胶。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积欧姆电极金属层之前，还包括：

对位于所述欧姆接触孔内的所述AlGaN势垒层的表面进行清洗。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积欧姆电极金属层，包括：

采用磁控溅射镀膜工艺依次在所述器件的表面上淀积金属Ti层、金属Al层、金属Ti层和金属TiN层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用磁控溅射镀膜工艺依次在器件的表面上淀积金属Ti层、金属Al层、金属Ti层和金属TiN层之后，还包括：

在温度为840摄氏度和氮气氛围的条件下执行退火30秒。