[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1)；

第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(Scan(n))，源极接入数据信号(Data)，漏极电性连接于第一节点(A)；

第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入该像素驱动电路所在行的上一行对应的第n-1条扫描信号(Scan(n-1))，源极接入参考电压(Vref)，漏极电性连接于第一节点(A)；

电容(C1)的一端电性连接于第一节点(A)，另一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)；

第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第n-1条扫描信号(Scan(n-1))，源极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；

第一薄膜晶体管(T1)的栅极(G)电性连接于所述电容(C1)的另一端，源极(S)接入电源正电压(VDD)，漏极(D)电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的源极；

第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(Em(n))，源极电性连接于所述第一薄膜晶体管(T1)的漏极(D)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；

有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于所述第五薄膜晶体管(T5)的漏极与所述第三薄膜晶体管(T3)的漏极，阴极接入电源负电压(VSS)。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述参考电压(Vref)为一恒定电压。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述该像素驱动电路所在行对应的第n条扫描信号(Scan(n))、该像素驱动电路所在行的上一行对应的第n-1条扫描信号(Scan(n-1))、与发光控制信号(Em(n))相组合，先后对应于一OLED开启电压提取阶段、一数据写入阶段、及一发光阶段。

5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为P型薄膜晶体管；

在所述OLED开启电压提取阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为低电位，第n条扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))为高电位；

在所述数据写入阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为高电位，第n条扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))为高电位；

在所述发光阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为高电位，第n条扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))为低电位。

6.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、与第五薄膜晶体管(T5)均为N型薄膜晶体管；

在所述OLED开启电压提取阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为高电位，第n条扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))为低电位；

在所述数据写入阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为低电位，第n条扫描信号(Scan(n))为高电位，发光控制信号(Em(n))为低电位；

在所述发光阶段，所述第n-1条扫描信号(Scan(n-1))为低电位，第n条扫描信号(Scan(n))为低电位，发光控制信号(Em(n))为高电位。