[发明专利]一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法

权利要求书

1.一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，所述的LCP为液晶聚合物，RF MEMS为射频微机电系统，其特征在于包括以下步骤：

(1)将单面覆铜的LCP基板进行清洗处理；

(2)将步骤(1)处理后的LCP基板覆铜面进行电镀金；

(3)将步骤(2)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中，用四氟化碳和氧气对LCP基板的无铜面进行干法处理；

(4)将步骤(3)处理后的LCP基板送入磁控溅射台中，在无铜面上溅射钛钨—金膜层；

(5)将步骤(4)处理后的LCP基板取出，用光刻胶将LCP基板的镀金面与表面平整的硬性基板进行无间隙复合；

(6)在步骤(5)处理后的LCP基板的钛钨—金膜层上，制备CPW图形；所述的CPW为共面波导；

(7)将步骤(6)处理后的LCP基板送入等离子干法刻蚀机中，用氩气对CPW图形进行干法处理；再在处理后的LCP基板表面生长一层二氧化硅；

(8)在步骤(7)处理后的LCP基板表面，用光刻胶将处于薄膜微桥下方的二氧化硅覆盖，并对覆盖以外的部位进行湿法刻蚀，再进行去胶处理，在RF传输线上形成二氧化硅绝缘层；

(9)在步骤(8)处理后的LCP基板上，用光刻胶将处于薄膜微桥桥墩以外的所有部位覆盖，送入磁控溅射台中，溅射金膜层；

(10)将步骤(9)处理后的LCP基板取出，用光刻胶将薄膜微桥以外的部位覆盖，再对薄膜微桥进行镀金加厚，之后将本步骤覆盖的光刻胶进行去胶处理和湿法刻蚀处理，得到薄膜微桥；

(11)将步骤(10)处理后的LCP基板，进行牺牲层释放，牺牲层包括步骤(5)中的光刻胶和步骤(9)中的光刻胶；

完成LCP基材RF MEMS开关的制备。

2.根据权利要求1所述的一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，其特征在于：步骤(5)所述的用光刻胶将LCP基板的镀金面与表面平整的硬性基板进行无间隙复合，具体包括以下步骤：

(501)在步骤(5)处理过的LCP基板电镀金面旋涂光刻胶，并置于100℃～150℃热板上烘烤2min～5min；

(502)在步骤(501)处理后的LCP基板上，压盖硬性基板并在硬性基板上压盖压块，加热烘烤10min～15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温；

(503)将步骤(502)处理后的LCP基板和硬性基板再次置于100℃～150℃热板上，压盖压块加热烘烤10min～15min后,从热板上将LCP基板和硬性基板移开并冷却至室温。

3.根据权利要求1所述的一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的清洗处理包括以下步骤：

(101)用50℃～70℃的M6319US清洗液超声清洗单面覆铜LCP基板5min～10min，之后水洗；

(102)将(101)处理过的LCP基板用5％～10％的稀盐酸超声清洗0.5min～1.5min，之后水洗。

4.根据权利要求1所述的一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的LCP基板覆铜面电镀金包括以下步骤：

(201)将步骤(1)处理后的LCP基板覆铜面电镀金，镀后水洗；

(202)将步骤(201)处理后的LCP基板用异丙醇浸泡清洗5min～10min，之后氮气吹干；

(203)将步骤(202)处理后的LCP基板置于200℃～250℃的热板上压盖玻璃板烘烤60min～120min。

5.根据权利要求1所述的一种LCP基材的RF MEMS开关制备方法，其特征在于：步骤(5)中所述的硬性基板包括玻璃板、硅片或陶瓷板。