[发明专利]一种基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置在审
| 申请号: | 201610144461.5 | 申请日: | 2016-03-15 |
| 公开(公告)号: | CN107204742A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 席曦;孙健刚;李果华;邵剑波 | 申请(专利权)人: | 南京黛傲光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H02S50/15 | 分类号: | H02S50/15;G01R31/26 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210036 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 led 阵列 光源 太阳电池 装置 | ||
1.一种基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,包括用于放置硅太阳电池的检测台,其特征在于,还包括:
一个LED光源系统,包括用于发出光线的LED阵列;一个光学汇聚系统,设置所述LED阵列的发光光路上,将LED阵列发出的光线汇聚到硅片承载台上的辐照区域;
一个控制器,用以修改LED阵列所发光线的参数。
2.根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:所述光学汇聚系统包括多个透镜和反射系统;LED阵列包括多个LED灯珠,所述透镜一一对应安装在LED灯珠前端;LED阵列所发光线穿过透镜照射到硅片承载台上的辐照区域;所述反射系统包括围绕承载台四周设置的、反射面向内的反射镜。
3. 根据权利要求2所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:还包括扩散玻璃,所述扩散玻璃安装于LED阵列和承载台之间。
4. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:所述LED阵列到达硅片承载台的光的最高辐照强度从为不低于十倍的标准太阳条件且到达承载台的光的辐照强度均匀一致;所述标准太阳条件为光子流密度满足AM1.5;当用一种以上发光波段的LED灯珠组成LED阵列时,不同发光波段的LED灯珠对称排列;光强可调。
5. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:所述LED光源系统还包括光强校正系统,对到达承载台上的辐照区域的光强进行调节,以达到所需的辐照强度。
6. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:所述控制器包括连接在控制器上的键盘和液晶或数码显示器。
7. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:还包括散热装置,所述散热装置包括水冷系统和风冷系统;所述水冷系统包括第一制冷机、水槽、水泵和散热板;所述散热板安装在LED阵列的上表面;所述第一制冷机的出水口连接水槽,对水槽中的散热用水制冷降温;所述水泵将水槽中的散热用水压入散热板的入水口;所述散热板的吹水口连接制冷机的入水口,散热用水带走LED阵列的热量并流回制冷机;所述风冷系统包括第二制冷机和风机;所述风机将第二制冷机制造的冷空气吹向LED阵列的下表面。
8. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:所述LED光源系统还包括驱动电源;所述驱动电源包括分压电路、降压型直流电源变换芯片(IC1)、运算放大器(IC2)、肖特基二极管(D2)和滤波线圈(L1);所述降压型直流电源变换芯片(IC1)的型号为XL4005;所述分压电路的电压输出端连接运算放大器(IC2)的反相输入端;运算放大器(IC2)的输出端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第二端口(FB),所述运算放大器(IC2)的正电源端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第五端口(VIN),运算放大器(IC2)的负电源端接地;肖特基二极管(D2)的正极接地,负极连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW);降压型直流电源变换芯片(IC1)的第一端口(GN)接地;所述滤波线圈(L1)的第一端连接降压型直流电源变换芯片(IC1)的第三端口(SW),第二端为为驱动电路的正输出端,运算放大器(IC2)的同相输入端作为驱动电路的负输出端;
多个LED灯珠串联为LED灯珠串;多个LED灯珠串并联在驱动电路的正输出端和负输出端之间。
9. 根据权利要求8所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:包括多组驱动电源,每组驱动电源可调控其输出电流,进而调节连接在其上的LED灯珠串的发光强度。
10. 根据权利要求1所述的基于LED阵列光源的硅太阳电池光衰装置,其特征是:还包括恒温系统,连接在承载台上,用以保持太阳电池片的温度恒定。
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