[发明专利]冷却腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种冷却腔室，在所述冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向所述第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却所述腔室壁；并且，在所述冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，所述托盘用于承载被加工工件，其特征在于，在所述冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层；

在所述托架的底部设置有升降机构，用于驱动所述托架上升或下降；

所述托架包括至少两层支撑部，所述至少两层支撑部沿竖直方向间隔设置，每层支撑部用于支撑一个所述托盘；

在所述冷却腔室内，且位于所述托架的下方还设置有冷却盘，所述冷却盘的上表面高于所述腔室壁的底壁的上表面，以减小所述托盘的热辐射距离；在所述冷却盘的上表面形成有黑色氧化层。

2.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，制作所述冷却腔室的腔室壁的材料包括铝；

所述黑色氧化层采用对所述腔室壁的至少部分内表面进行黑色阳极氧化处理的方式形成。

3.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，在所述冷却盘内设置有第二冷却通道，通过向所述第二冷却通道内通入冷却媒介，来冷却所述冷却盘。

4.根据权利要求3所述的冷却腔室，其特征在于，在所述腔室壁的底壁上设置有沿其厚度贯穿的通孔；

在所述腔室壁的底壁的下表面设置有安装法兰，所述安装法兰封闭所述通孔；并且，在所述安装法兰上，且位于所述通孔内设置有安装块，所述冷却盘固定在所述安装块的顶部。

5.根据权利要求4所述的冷却腔室，其特征在于，在所述安装法兰的底部设置有第一接入块，在所述第一接入块内设置有入流接口和出流接口，二者与所述第二冷却通道连接，分别用于输入和输出所述第二冷却通道内的冷却媒介。

6.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述冷却盘与所述腔室壁的底壁相接触。

7.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，制作所述冷却盘的材料包括铝；

所述黑色氧化层采用对所述冷却盘的上表面进行黑色阳极氧化处理的方式形成。

8.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，在所述冷却腔室的腔室壁上分别设置有进气通道和排气通道，其中，

所述进气通道用于向所述冷却腔室的内部输送冷却气体；

所述排气通道用于排出所述冷却腔室内的冷却气体。

9.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述第一冷却通道设置在所述腔室壁的侧壁和底壁内；

在所述腔室壁的顶壁内设置有第三冷却通道，通过向所述第三冷却通道内通入冷却媒介，来冷却所述顶壁。

10.根据权利要求9所述的冷却腔室，其特征在于，在所述腔室壁的底壁上设置有第二接入块，在所述第二接入块内设置有入流接口和出流接口，二者与所述第一冷却通道连接，分别用于输入和输出所述第一冷却通道内的冷却媒介；

在所述腔室壁的顶壁上设置有第三接入块，在所述第三接入块内设置有入流接口和出流接口，二者与所述第三冷却通道连接，分别用于输入和输出所述第三冷却通道内的冷却媒介。

11.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述冷却媒介包括冷却液或者冷却气体。

12.一种半导体加工设备，其包括工艺腔室、传输腔室和冷却腔室，其中，在所述传输腔室内设置有机械手，用以将完成工艺的托盘自所述工艺腔室内传出，并传入所述冷却腔室内，其特征在于，所述冷却腔室包括权利要求1-11任意一项所述的冷却腔室。