[发明专利]一种全息散斑结构有机发光二极管制作方法有效
| 申请号: | 201610140749.5 | 申请日: | 2016-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN105789485B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
| 发明(设计)人: | 周雷;童捷;范媛媛;朱雨富;张俊;胡光;林毅 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 223003 江苏省淮*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 全息 结构 有机 发光二极管 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管技术领域,更具体地说,涉及一种全息散斑结构有机发光二极管制作方法。
背景技术
有机发光二极管因为主动发光、低功耗、全固态、发光亮度高、色彩丰富、易于实现柔性显示等诸多优点,被认为是继CRT、LCD之后的最具发展前景的下一代照明和显示技术,并已在商业产品应用中表现出了强劲的发展势头。
然而,尽管有机发光二极管的内发光效率已经接近100%,但是由于器件各功能层的折射率不匹配,造成发光层发出的光子大部分仍然陷在器件内部被损失掉,只有20%的光能能够出射。而且器件出光角度随机。因此,设法改进器件结构,定向提高器件的发光效率具有重要意义。
近年来,通过在有机发光二极管内引入微纳结构,改进器件结构,从而提高发光效率的研究已经取得了很好的发展,如:纳米光栅结构(《Solving Efficiency–Stability Tradeoff in Top‐Emitting Organic Light‐Emitting Devices by Employing Periodically Corrugated Metallic Cathode》(Advanced Materials, 2012, 24(9): 1187-1191),中国发明专利:公开号CN102484209A)、随机褶皱结构(《Light extraction from organic light-emitting diodes enhanced by spontaneously formed buckles》(Nature Photonics, 2010, 4(4): 222-226) )、基底仿生蛾眼结构(《Simultaneous efficiency enhancement and self-cleaning effect of white organic light-emitting devices by flexible antireflective films》(Optics letters, 2011, 36(14): 2635-2637) )、光提取膜(中国发明专利:公开号为CN102844904A)等。从上述文献和专利可以看出,通过改善器件结构可以有效提高有机发光二极管的发光效率。然而,周期性光栅结构容易造成色散和谱带漂移;随机褶皱制备工艺复杂、可控性和可重复性较差,纳米蛾眼结构槽深较难控制、易造成漏电流增加。更为重要的,上述方案均不能实现定向发光效率增强,而定向发光效率增强可实现定向对比度增强,而定向对比度增强对于在强光环境下显示显得尤为重要,如手机在太阳光环境下,视角范围内对比度的增强会使屏幕显示更加清晰鲜艳。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是针对上述现有技术不足,提出一种散斑结构有机发光二极管制作方法,可以定向提高有机发光二极管的发光效率,而且不会引起暗电流增加,并有效改善器件在不同视角下的色散和光谱漂移。
为了实现上述目的,本发明提供一种散斑结构有机发光二极管制作方法,包括步骤:
S1) 通过全息光刻技术曝光形成散斑像面全息干涉条纹;
S2)通过显影、自然风干获得散斑像面全息结构;
S3) 在散斑像面全息结构上制作第一电极层,厚度为30~180 nm;
S4) 通过热蒸发在第一电极层上形成有机层和背电极;
S5) 器件封装成型。
优选的,所述的全息光刻技术曝光形成散斑像面全息干涉条纹,包括步骤:
1)波长为441 nm激光器发出激光光束,激光光束通过分束器分为两路;
2)一路经扩束器扩束后,再经透镜准直后,照射毛玻璃形成随机散斑物光,散斑物光再经过成像透镜组成像在光刻胶上;
3)另一路经经扩束器扩束后,再经透镜准直后,作为参考光,照射在光刻胶上;
4)散斑物光和参考光夹角在30度~60度,干涉10~60秒后,关闭激光器,在光刻胶上曝光形成散斑像面全息干涉条纹。
优选的,所述的光刻胶均匀涂布在基底上,光刻胶厚度为500 nm~2 μm。
优选的,所述的光刻胶基底, 材质可为硬质材料,如石英、玻璃、硅片等;也可为柔性材质,如:聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和聚氯乙烯等。
优选的,所述的显影是指将曝光的光刻胶连同基底放入到体积分数为0.8%~1.5%的NaOH溶液中,显影时间为7~15秒,光刻胶散斑干涉条纹槽深为40 nm~300 nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于淮阴工学院,未经淮阴工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610140749.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电池模块
- 下一篇:一种含锑的有机无机钙钛矿量子点电致发光二极管的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





