[发明专利]制造相变化记忆体的方法有效
| 申请号： | 201610130129.3 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105789437B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变化材料层 导电层 相变化记忆体 层叠结构 介电层 绝缘层 绝缘材料 接触孔 移除 制造 加热材料层 接触结构 侧壁 夹置 暴露 | ||
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含以下操作：
(i)形成多个层叠结构，各该层叠结构包含多个介电层、多个相变化材料层及多个导电层，各该导电层及各该相变化材料层夹置在相邻的两个所述介电层之间；
(ii)形成一绝缘层于相邻的两个所述层叠结构之间，其中该绝缘层具有至少一接触孔暴露出各该相变化材料层的一侧壁部分和各该导电层的一侧壁部分；
(iii)移除各该导电层的该侧壁部分，以在相邻的所述介电层与所述相变化材料层之间形成一第一空隙；
(iv)在各该第一空隙中形成一绝缘材料；
(v)移除各该绝缘材料的一部分，以形成多个第二空隙；
(vi)在各该第二空隙中形成一加热材料层；以及
(vii)形成一接触结构于该接触孔中。
2.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中操作(vi)还包含：
形成一第一型半导体材料于各该第二空隙中，其中各该第一型半导体材料从该接触孔横向嵌入各该加热材料层。
3.如权利要求2所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，在操作(vi)后，但在操作(vii)前，还包含以下步骤：
(a)移除各该加热材料层的一部分，以形成多个第三空隙；
(b)在各该第三空隙中形成一第一绝缘栓；
(c)移除各该第一型半导体材料的一部分，以形成多个第四空隙；
(d)在各该第四空隙中形成一第二型半导体材料；
(e)移除各该相变化材料层的该侧壁部分，以形成多个第五空隙；以及
(f)在各该第五空隙中形成一第二绝缘栓。
4.如权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，其中操作(iii)所述的该第一空隙与该接触孔连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司，未经江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610130129.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
