[发明专利]一种基于复合半导体纳米材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.一种基于g-C₃N₄/MoS₂纳米复合材料的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)用1.0μm、0.3μm、0.05μm的Al₂O₃抛光粉依次打磨直径为4mm的玻碳电极(GCE)，分别在乙醇和超纯水中超声清洗5min，氮气吹干，取6~10μLg-C₃N₄/MoS₂纳米复合材料分散液滴涂到电极表面，室温下晾干成膜，用PBS(pH7.4)缓冲溶液冲洗以除去未键合的g-C₃N₄/MoS₂得到g-C₃N₄/MoS₂/GCE；

(2)取10μL8~10μg/mL的甲胎蛋白抗体(anti-AFP)标准溶液滴涂到电极表面，4℃下孵化过夜，用PBS(pH7.4)缓冲溶液冲洗得anti-AFP/g-C₃N₄/MoS₂/GCE；

(3)取10μL质量分数为1~3%的牛血清白蛋白(BSA)溶液滴涂到电极表面，在37℃下孵化1h，封闭非特异性结合的位点，用PBS(pH7.4)缓冲溶液冲洗电极表面得到BSA/anti-AFP/g-C₃N₄/MoS₂/GCE；

(4)滴加10μL浓度为0.005~100ng/mL的一系列不同浓度的甲胎蛋白抗原标准溶液用于与抗体特异性识别，在37℃下孵育60min，用PBS(pH7.4)缓冲溶液冲洗电极表面，制得一种基于g-C₃N₄/MoS₂的简易型电致化学发光免疫传感器(AFP/BSA/anti-AFP/g-C₃N₄/MoS₂/GCE)。

2.根据权利要求1所述的一种基于g-C₃N₄/MoS₂的简易型电致化学发光免疫传感器的制备方法，所述的g-C₃N₄/MoS₂分散液，其特征在于，制作步骤如下：

(1)g-C₃N₄纳米片(g-C₃N₄NSs)的制备

称取15g尿素于半闭合的坩埚中，用马弗炉以5℃/min程序升温至550℃，恒温煅烧2.5h得淡黄色粉末g-C₃N₄；

称取100mg制得的g-C₃N₄粉末于锥形瓶中，加入100mL超纯水，超声16h，将所得溶液在7000r/s下离心，除去未分散的g-C₃N₄，收取上清液，在60℃下旋蒸得到乳白色的g-C₃N₄NSs分散液；

(2)g-C₃N₄/MoS₂分散液的制备

移取1mL1mg/mL的MoS₂溶液加入到7mL的g-C₃N₄NSs分散液中，搅拌过夜，离心洗涤后再用8mL超纯水水稀释即得g-C₃N₄/MoS₂分散液。

3.根据权利要求1所述的制备方法制备的一种基于g-C₃N₄/MoS₂的简易型电致化学发光免疫传感器，其特征在于，用于AFP的检测，检测步骤如下：

(1)AFP/BSA/anti-AFP/g-C₃N₄/MoS₂/GCE为工作电极，Ag/AgCl电极为参比电极，铂电极为对电极；使用MPI-B型多参数化学发光分析测试系统进行测试，将光电倍增管的高压设置为800V，扫描区间为-1.5~0V，扫描速度为100mV/s；

(2)在10mL含有0.1mol/L过硫酸钾的PBS(pH7.4)缓冲溶液的电解池中，通过MPI-B型多参数化学发光分析测试系统检测0.005~100ng/mL一系列不同浓度AFP标准溶液的电极的电致化学发光强度，绘制工作曲线；

(3)将待测样品溶液代替AFP标准溶液进行检测。