[发明专利]一种半导体薄膜型器件的制备方法在审
| 申请号: | 201610113549.0 | 申请日: | 2016-02-29 |
| 公开(公告)号: | CN105679890A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
| 发明(设计)人: | 张佰君;臧文杰;廖强;刘扬 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/32;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;H01L21/335;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
| 地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 薄膜 器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体薄膜型器件的制备方法,其特征在于,通过在器件功能结构的表面涂覆 树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用,经化学机械抛光将预先制 备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接,剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能 结构,形成薄膜器件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:在半导体器件功能结构表面划分功能区,在各功能区制备电极结构,并在相应 的区域加厚电极;
步骤2:在器件表面涂覆树脂材料,并进行固化;
步骤3:经研磨方法将预先制备的器件加厚电极引出树脂之外;
步骤4:经物理或化学方法剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能结构,固化后的 树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用;
步骤5:衬底剥离后制备金属层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述原始衬底材料为半导体材料,该半导 体材料为硅、蓝宝石、碳化硅或氧化锌,针对不同的原始衬底材料通过相应的物理或化学手 段进行剥离。
4.一种采用权利要求1-3任一项所述方法的器件,其特征在于:所述器件为水平和垂直 两种导通结构薄膜型器件。
5.一种采用权利要求1-3任一项所述方法的器件,其特征在于:所述器件为薄膜型光电 子器件及电子器件。
6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,制备的光电子器件及电子器件,是通过在 树脂中添加荧光粉,制备双色或多色薄膜型发光器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610113549.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高效散热LED泛光灯
- 下一篇:一种可快速更换导电接头的导轨灯电源盒





