[发明专利]一种半导体薄膜型器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610113549.0 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105679890A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 张佰君;臧文杰;廖强;刘扬 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/32;H01L29/861;H01L21/329;H01L29/812;H01L21/338;H01L29/778;H01L21/335;H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 薄膜 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体薄膜型器件的制备方法,其特征在于,通过在器件功能结构的表面涂覆 树脂材料,固化后的树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用,经化学机械抛光将预先制 备的器件电极引出树脂之外,供器件工作连接,剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能 结构,形成薄膜器件。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:包括以下步骤:

步骤1:在半导体器件功能结构表面划分功能区,在各功能区制备电极结构,并在相应 的区域加厚电极;

步骤2:在器件表面涂覆树脂材料,并进行固化;

步骤3:经研磨方法将预先制备的器件加厚电极引出树脂之外;

步骤4:经物理或化学方法剥离掉器件的原始衬底材料,留下器件功能结构,固化后的 树脂材料对薄膜器件起到支撑和保护作用;

步骤5:衬底剥离后制备金属层。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述原始衬底材料为半导体材料,该半导 体材料为硅、蓝宝石、碳化硅或氧化锌,针对不同的原始衬底材料通过相应的物理或化学手 段进行剥离。

4.一种采用权利要求1-3任一项所述方法的器件,其特征在于:所述器件为水平和垂直 两种导通结构薄膜型器件。

5.一种采用权利要求1-3任一项所述方法的器件,其特征在于:所述器件为薄膜型光电 子器件及电子器件。

6.根据权利要求5所述的器件,其特征在于,制备的光电子器件及电子器件,是通过在 树脂中添加荧光粉,制备双色或多色薄膜型发光器件。

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