[发明专利]CMOS驱动器晶圆级封装及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS驱动器晶圆级封装，其特征在于：包括驱动器晶圆片（1），所述晶圆片的上表面部分区域形成有驱动器晶圆片焊盘（2），所述焊盘区域以外的晶圆片的上表面上形成有钝化层（3），所述钝化层（3）的上表面形成有第一树脂层（4），且第一树脂层（4）的内部边缘延伸至所述焊盘的上表面，使得所述焊盘的上表面的部分被所述第一树脂层（4）覆盖，其余部分裸露出；部分所述第一树脂层（4）的上表面形成有再布线层（5），部分所述再布线层（5）与所述焊盘上表面的裸露部分直接接触；所述再布线层（5）的上表面以及没有覆盖再布线层（5）的第一树脂层（4）的上表面形成有第二树脂层（6）；所述第二树脂层（6）上设有过孔，所述过孔使得部分所述再布线层（5）裸露出；部分所述第二树脂层（6）的上表面形成有直接下金属层（7），部分所述直接下金属层（7）与所述再布线层（5）的裸露部分直接接触；所述过孔上侧的直接下金属层（7）的上表面形成有金属凸点（8）。

2.如权利要求1所述的CMOS驱动器晶圆级封装，其特征在于：所述第一树脂层（4）和第二树脂层（6）采用聚酰亚胺材料。

3.如权利要求1所述的CMOS驱动器晶圆级封装，其特征在于：所述金属凸点包括直径为200um，高20um的铜柱以及直径为200um，高30um的锡柱。

4.一种CMOS驱动器晶圆级封装的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

在驱动器晶圆片（1）的上表面依次沉积钝化层（3）和第一树脂层（4），并对钝化层（3）和第一树脂层（4）进行刻蚀，刻蚀出驱动器晶圆片焊盘区域，然后在上述区域形成驱动器晶圆片焊盘（2）；

在上述器件上表面的部分上溅射或沉积再布线层（5），使得所述再布线层（5）部分与所述驱动器晶圆片焊盘（2）相接触；

在再布线层（5）上沉积第二树脂层（6），刻蚀第二树脂层（6），使得部分所述再布线层（5）裸露出，然后对裸露部分的再布线层（5）进行刻蚀，形成再布线层上的连接点，溅射或沉积区域阵列；

在部分第二树脂层（6）的上表面制作直接下金属层（7），使得所述直接下金属层（7）部分穿过所述第二树脂层（6）与再布线层（5）直接接触；

在所述直接下金属层（7）的上表面制作金属凸点（8）。

5.如权利要求4所述的CMOS驱动器晶圆级封装的制作方法，其特征在于：在所述的沉积钝化层（3）和第一树脂层（4）之前，还包括对所述晶圆片进行清洗的步骤。

6.如权利要求4所述的CMOS驱动器晶圆级封装的制作方法，其特征在于：再布线层（5）以再布线的方式进行布局布线。

7.如权利要求4所述的CMOS驱动器晶圆级封装的制作方法，其特征在于：在再布线层（5）中对驱动器单元引脚进行重新分配，使引脚均匀且成阵列式区域阵列。

8.如权利要求4所述的CMOS驱动器晶圆级封装的制作方法，其特征在于：所述第一树脂层（4）和第二树脂层（6）采用聚酰亚胺材料。