[发明专利]一种半导体硅片机械抛光清洗液及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：柠檬酸2-4份、柠檬酸氢二铵2-4份、四甲基氢氧化铵0.1-0.3份、四丙基氢氧化铵0.1-0.3份、乙醇胺0.1-0.2份、聚醚表面活性剂0.4-0.8份、氯化钾0.1-0.4份、氯化钠0.1-0.3份、过硫酸钠0.01-0.1份、去离子水20-30份、二氧化硅2-4份。

2.根据权利要求1所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：柠檬酸3份、柠檬酸氢二铵3份、四甲基氢氧化铵0.2份、四丙基氢氧化铵0.2份、乙醇胺0.2份、聚醚表面活性剂0.6份、氯化钾0.3份、氯化钠0.2份、过硫酸钠0.05份、去离子水20-30份、二氧化硅3份。

3.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值为8.0～12.0。

4.根据权利要求4所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值为9.0～11.5。

5.一种如权利要求1-4所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：取10份去离子水注入容器，一边搅拌一边加入其它组分，搅拌时间为2min；

步骤2：将剩余的去离子水滴入步骤1得到的混合液中，一边搅拌一边测pH值，当pH值达到所需pH值时，停止滴入去离子水，继续搅拌5min，既得半导体硅片化学机械抛光清洗液。