[发明专利]一种数据存储方法及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及数据存储技术，尤其涉及一种数据存储方法及电子设备。

背景技术

固态硬盘(SSD，SolidStateDrives)是由固态电子存储芯片阵列而制成的 硬盘，由控制单元和存储单元组成。快闪记忆体(NANDflash)是一种较为常 见的存储单元。对于NANDflash而言，其存储单元分为三大类，分别为单层单 元(SLC，Single-LevelCell)、多层单元(MLC，Multi-LevelCell)和三层单元 (TLC，Trinary-LevelCell)。其中，SLC的每个单元为1比特(bit)，读写速度 快，写寿命长(约为10万次)，但是价格也昂贵。MLC的每个单元为2bit，读 写速度适中，写寿命一般(约为1万次)，价格也适中。TLC的每个单元为3bit， 读写速度慢，写寿命短(约为1千次)，价格较为便宜。基于此，如何合理利用 不同类型的存储单元在保障读写性能的同时，降低制造成本，是有待解决的问 题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种数据存储方法及电子设备。

本发明实施例提供的数据存储方法，应用于电子设备，所述电子设备具有 存储介质，所述存储介质至少包括：第一类存储区域、第二类存储区域；所述 方法包括：

获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断；

针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标数据分配所述第一存储 区域；针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目标数据分配所述第二存 储区域；

在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据进行读/写操作；在所述 第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读/写操作；

其中，所述第一类存储区域的存储性能指数高于所述第二类存储区域的存 储性能指数。

本发明实施例中，所述获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断， 包括：

检测到输入的目标数据时，对所述目标数据的属性信息进行解析；

根据解析结果，判断所述目标数据的类型是所述第一类型或是所述第二类 型。

本发明实施例中，所述针对第一类型的目标数据，为所述第一类型的目标 数据分配所述第一存储区域；针对第二类型的目标数据，为所述第二类型的目 标数据分配所述第二存储区域，包括：

针对第一类型的目标数据，在地址映射表中为所述第一类型的目标数据设 置对应的第一逻辑地址；

针对第二类型的目标数据，在所述地址映射表中为所述第二类型的目标数 据设置对应的第二逻辑地址；

所述第一逻辑地址表征所述第一存储区域，所述第二逻辑地址表征所述第 二存储区域。

本发明实施例中，所述在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据 进行写操作；在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行写操作， 包括：

将所述第一类型的目标数据写入所述第一逻辑地址表征的所述第一存储区 域；并将所述第一存储区域的第一物理地址存储至所述地址映射表中，以在所 述地址映射表中建立所述第一逻辑地址和所述第一物理地址的映射关系；

将所述第二类型的目标数据写入所述第二逻辑地址类型表征的所述第二存 储区域；并将所述第二存储区域的第二物理地址存储至所述地址映射表中，以 在所述地址映射表中建立所述第二逻辑地址和所述第二物理地址的映射关系。

本发明实施例中，所述在所述第一存储区域上对所述第一类型的目标数据 进行读操作；在所述第二存储区域上对所述第二类型的目标数据进行读操作， 包括：

根据所述地址映射表，查找与所述第一类型的目标数据的第一逻辑地址对 应的第一物理地址；从所述第一物理地址中读取所述第一类型的目标数据；

根据所述地址映射表，查找与所述第二类型的目标数据的第二逻辑地址对 应的第二物理地址；从所述第二物理地址中读取所述第二类型的目标数据。

本发明实施例提供的电子设备，具有存储介质，所述存储介质至少包括： 第一类存储区域、第二类存储区域；所述电子设备还包括：

判断单元，用于获得目标数据，对所述目标数据的类型进行判断；