[发明专利]掩膜组件及对准量测方法

权利要求书

1.一种对准量测方法，其特征在于，所述对准量测方法至少包括以下步骤：

提供第一掩膜及晶圆，所述第一掩膜内形成有零标记图形及第一标记图形，所述第一标记图形位于所述零标记图形的附近；

依据所述第一掩膜在所述晶圆上刻蚀零标记及第一标记；

提供第二掩膜，所述第二掩膜适于深N阱离子注入工艺，所述第二掩膜对应于所述第一标记内部区域的位置形成有第二标记图形，且所述第二标记图形与所述第一标记的中心相重合；

在所述深N阱离子注入工艺过程中依据所述第二掩膜在所述第一标记内形成第二标记；

量测所述第二标记相对于所述第一标记的位置偏移；

提供第三掩膜，所述第三掩膜适于有源区刻蚀工艺，所述第三掩膜对应于所述第一标记内部区域的位置形成有第三标记图形，且所述第三标记图形与所述第一标记的中心相重合；

在所述有源区刻蚀工艺过程中依据所述第三掩膜在所述第一标记内形成第三标记；

量测所述第三标记相对于所述第一标记的位置偏移。

2.根据权利要求1所述的对准量测方法，其特征在于：量测的所述第二标记相对于所述第一标记的位置偏移包括X方向的位置偏移及Y方向的位置偏移。

3.根据权利要求1所述的对准量测方法，其特征在于：所述第一标记、所述第二标记及所述第三标记的形状为实心正方形或空心正方形。

4.根据权利要求1所述的对准量测方法，其特征在于：所述第一标记的数量为多个，所述第二标记及所述第三标记形成于至少一个所述第一标记内。

5.根据权利要求4所述的对准量测方法，其特征在于：所述第三标记与所述第二标记形成于不同的所述第一标记内。

6.根据权利要求1所述的对准量测方法，其特征在于：量测的所述第三标记相对于所述第一标记的位置偏移包括X方向的位置偏移及Y方向的位置偏移。

7.一种掩膜组件，其特征在于，所述掩膜组件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，其中

所述第一掩膜内形成有零标记图形及第一标记图形，所述第一标记图形位于所述零标记图形的附近；

所述第二掩膜适于深N阱离子注入工艺，所述第二掩膜对应于所述第一标记图形内部区域的位置形成有第二标记图形，且所述第二标记图形与所述第一标记图形的中心相重合；

所述第三掩膜适于有源区刻蚀工艺，所述第三掩膜对应于所述第一标记图形内部区域的位置形成有第三标记图形，且所述第三标记图形与所述第一标记图形的中心相重合。

8.根据权利要求7所述的掩膜组件，其特征在于：所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形的形状为实心正方形或空心正方形。