[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过先采用倾斜离子束对多晶硅层进行高剂量的离子植入，以形成重掺杂区，再采用垂直离子束进行低剂量的离子植入，以形成轻掺杂区，简便的制作出具有单边LDD区的薄膜晶体管，从而可以减小薄膜晶体管的热载流子效应及漏电，简化了低温多晶硅TFT基板的制作过程并降低了低温多晶硅TFT基板的制作成本。本发明的低温多晶硅TFT基板，其薄膜晶体管具有单边LDD区，可以减小薄膜晶体管的热载流子效应及漏电，且制作工艺简单，制作成本低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。

通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。

LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)显示面板在高端手机、平板电脑上已获得广泛应用，IPHONE 6s手机、LG G4手机、Kindle Fire Hdx平板电脑等产品均使用LTPS显示面板。LTPS技术可以通过激光退火等方法在玻璃基板上形成高迁移率的低温多晶硅半导体层，使显示屏具有高分辨率、低功耗、高反应速度、高开口率等优点。但LTPS显示面板中的TFT基板的制造过程非常复杂，常常需要9道光罩以上的制程来生产，复杂的制造过程显著影响了LTPS显示面板的良率和价格。因此，简化TFT基板的制造过程对于LTPS显示面板的推广具有重要作用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，可简便的制作出具有单边LDD区的薄膜晶体管，简化了低温多晶硅TFT基板的制作过程并降低了低温多晶硅TFT基板的制作成本。

本发明的目的还在于提供一种低温多晶硅TFT基板，其薄膜晶体管具有单边LDD区，可以减小薄膜晶体管的热载流子效应及漏电，且制作工艺简单，制作成本低。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上依次形成缓冲层、多晶硅层、及栅极绝缘层；

步骤2、在所述栅极绝缘层上沉积第一金属层，在所述第一金属层上涂布光阻材料，利用光罩对所述光阻材料进行曝光、显影后，对剩余的光阻层进行硬烤，使显影液挥发，增强其稳定性；

步骤3、对所述第一金属层进行蚀刻，得到栅极、及位于栅极上方的光阻层；