[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成缓冲层(20)、多晶硅层(30)、及栅极绝缘层(40)；

步骤2、在所述栅极绝缘层(40)上沉积第一金属层(41)，在所述第一金属层(41)上涂布光阻材料(42)，利用光罩(45)对所述光阻材料(42)进行曝光、显影后，对剩余的光阻层(51)进行硬烤，使显影液挥发，增强其稳定性；

步骤3、对所述第一金属层(41)进行蚀刻，得到栅极(50)、及位于栅极(50)上方的光阻层(51)；

步骤4、在所述光阻层(51)、及栅极绝缘层(40)上涂布光阻材料，曝光、显影后，得到位于栅极(50)上方的第一光阻图案(61)、以及分别距所述第一光阻图案(61)左右两侧一段距离且位于所述栅极绝缘层(40)上的第二光阻图案(62)与第三光阻图案(63)；

步骤5、以所述第一光阻图案(61)、第二光阻图案(62)、第三光阻图案(63)为遮挡层，采用倾斜离子束对所述多晶硅层(30)进行高剂量的离子掺杂，离子束倾斜穿过第一光阻图案(61)与第二光阻图案(62)之间、及第一光阻图案(61)与第三光阻图案(63)之间，在所述多晶硅层(30)上分别形成第一重掺杂区(31)、及第二重掺杂区(32)；

步骤6、以所述第一光阻图案(61)、第二光阻图案(62)、第三光阻图案(63)为遮挡层，采用垂直离子束对所述多晶硅层(30)进行低剂量的离子掺杂，离子束垂直穿过第一光阻图案(61)与第二光阻图案(62)之间、及第一光阻图案(61)与第三光阻图案(63)之间，在所述多晶硅层(30)上分别形成邻接所述第一重掺杂区(31)的第一轻掺杂区(33)、以及邻接所述第二重掺杂区(32)的第二轻掺杂区(34)，并在所述第二重掺杂区(32)与第一轻掺杂区(33)之间形成未掺杂的沟道区(35)；

步骤7、剥离所述第一光阻图案(61)、第二光阻图案(62)、及第三光阻图案(63)，在所述栅极(50)、及栅极绝缘层(40)上形成层间绝缘层(70)，通过光刻制程在所述层间绝缘层(70)及栅极绝缘层(40)上形成分别对应于所述第一重掺杂区(31)、及第二重掺杂区(32)上方的过孔(71)；

步骤8、在所述层间绝缘层(70)上沉积第二金属层，通过光刻制程对所述第二金属层进行图形化处理，得到源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)与漏极(82)分别经由过孔(71)与第一重掺杂区(31)、及第二重掺杂区(32)相接触。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述多晶硅层(30)的制作过程为：在所述缓冲层(20)上沉积非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(30)，所述低温结晶工艺为固相晶化、准分子激光晶化、快速热退火、或金属横向诱导法。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重掺杂区(31)、及第二重掺杂区(32)的剖面结构为平行四边形；所述第一轻掺杂区(33)、及第二轻掺杂区(34)的剖面结构为直角梯形。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一重掺杂区(31)、第二重掺杂区(32)、第一轻掺杂区(33)、及第二轻掺杂区(34)中掺入的离子均为硼离子或者磷离子。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述基板(10)为玻璃基板；所述缓冲层(20)、栅极绝缘层(40)、及层间绝缘层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述第一金属层(41)、第二金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。