[发明专利]一种同质双层氧化铪减反膜及其制备方法

权利要求书

1.一种同质双层氧化铪减反膜，其特征在于，在透明或半透明的基底表面依次沉积有 致密氧化铪层和多孔氧化铪层；所述的致密氧化铪层和多孔氧化铪层在550nm参考波长处 的折射率分别为1.85和1.367。

2.按照权利要求1所述的一种同质双层氧化铪减反膜，其特征在于，所述的多孔氧化铪 层的孔隙率为72％。

3.根据权利要求1或2所述的一种同质双层氧化铪减反膜，其特征在于，所述基底采用 石英片、BK7、SF5、LAK14、FTO或派莱克斯玻璃中的任一种，它们的折射率在1.45～1.95之 间。

4.根据权利要求1或2所述的一种同质双层氧化铪减反膜，其特征在于，所述致密氧化 铪层的厚度为125～145nm，多孔氧化铪层的厚度为85～95nm。

5.如权利要求1或2所述的一种同质双层氧化铪减反膜的制备方法，其特征在于，所述 方法包括如下步骤：

1)在室温下，将基底固定在电子束蒸发镀膜机的样品台上；采用氧化铪为靶材，将电子 束蒸发镀膜机腔室抽至真空度为3×10^－4～5×10^－4Pa；

2)调整电子束入射角度为0°，沉积致密氧化铪层；再调整电子束入射角度为85°，沉积 多孔氧化铪层；双层氧化铪沉积过程中样品台的转速为1～4rpm，沉积速率为0.35～0.5nm/ s。