[发明专利]一种光学直角反射镜及其制造方法有效
| 申请号: | 201610038072.4 | 申请日: | 2016-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN106986299B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 吴亚明;翟雷应;徐静 | 申请(专利权)人: | 安徽中科米微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光学 直角 反射 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学直角反射镜的制造方法,用于在单晶硅基片上制造光学直角反射镜,其特征在于,该方法包括:
在基片表面形成蚀刻掩模,所述蚀刻掩模具有使所述基片表面露出的开口,所述基片是单晶硅片;
对形成有蚀刻掩模的所述基片进行湿法腐蚀,以形成刻槽,所述刻槽至少具有相互垂直的两个侧壁,两个所述侧壁为硅(110)晶面,并且两个所述侧壁与所述基片的表面夹角为45°,所述湿法腐蚀所使用的腐蚀液是TMAH与IPA的混合溶液,所述湿法腐蚀的所述混合溶液的温度是75℃,在腐蚀过程中所述混合溶液被持续搅拌,搅拌速率不低于900转/分钟;以及
在所述刻槽的两个所述侧壁覆盖光反射层,以在所述刻槽中形成直角反射镜,
所述方法还包括:
在形成所述蚀刻掩模之前,通过对所述基片表面进行湿法腐蚀而在所述基片表面形成晶向定位标记图形,该晶向定位标记图形是以某一中心为圆点的一组射线,且相邻射线间的夹角相等;
检测侧壁的层错数量最少和/或镜面度最高的射线,使用该射线标定所述基片表面的100晶向,
其中,所述蚀刻掩模的开口是以所述射线标定的100晶向为定位基准而形成的,
所述刻槽的截面是等腰直角三角形或等腰梯形。
2.如权利要求1所述的光学直角反射镜的制造方法,其特征在于,
所述硅基片的表面为(100)晶面。
3.如权利要求1所述的光学直角反射镜的制造方法,其特征在于,
所述光反射层为金属膜或光介质反射膜。
4.如权利要求1所述的光学直角反射镜的制造方法,其特征在于,所述方法还包括:
在覆盖所述光反射层之后,对所述基片进行切割,以形成单槽直角反射镜芯片或形成阵列式多槽直角反射镜芯片。
5.一种采用权利要求1-4之一的制造方法制造的光学直角反射镜,其形成于单晶硅基片上,其特征在于,该光学直角反射镜包括:
刻槽,其形成于基片中,并向所述基片的表面开口,其中,所述基片为单晶硅片,所述刻槽至少具有相互垂直的两个侧壁,两个所述侧壁是硅(110)晶面,并且两个所述侧壁与所述基片的表面夹角为45°;以及
光反射层,其至少覆盖在所述刻槽的两个所述侧壁表面,
所述刻槽的截面是等腰直角三角形,所述刻槽的数量为多个,并排排列为阵列状,所述基片的厚度为数百微米至数厘米,相邻的刻槽之间不具有硅平台。
6.如权利要求5所述的光学直角反射镜,其特征在于,
所述基片的表面为(100)晶面。
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