[发明专利]闪存存储设备的管理方法及装置在审
| 申请号: | 201610025374.8 | 申请日: | 2016-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN105551522A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 林寅;吴大畏;李晓强 | 申请(专利权)人: | 深圳市硅格半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国;陈春艳 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区科技南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 闪存 存储 设备 管理 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域,尤其涉及一种闪存存储设备的管理方法 及装置。
背景技术
以闪存为存储介质的存储设备在日常的生活中应用越来越普遍,闪存按 照其内部构架可以分为单层单元闪存和多层单元闪存,单层单元闪存的每个 单元(cell)中存储1个位(bit)的信息;多层单元闪存的每个单元(cell)至少存储2 个位(bit)信息,其中,多层单元闪存包括2bit/cell、3bit/cell、4bit/cell以及更 多位单元的闪存。
现有技术中,闪存存储设备中通常采用单层单元闪存和多层单元闪存或 者只采用多层单元闪存以提高闪存存储设备的存储容量,同时在出厂时固定 闪存存储设备的容量以及读写数据的速度,因此,现有的闪存存储设备的读 写数据的速度及容量固定,导致用户不能自行调整闪存存储设备的容量以及 读写速度等性能,设计不够人性化。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种闪存存储设备的管理方法及装置,旨在 解决现有的闪存存储设备的读写数据的速度及容量固定,导致用户不能自行 调整闪存存储设备的容量以及读写速度等性能的问题。
为实现上述目的,本发明提供的一种闪存存储设备的管理方法,所述闪 存存储设备的管理方法包括以下步骤:
接收存储模式切换指令,并根据所述存储模式切换指令确定切换后的所 述闪存存储设备的存储模式;
根据确定的所述存储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调 整。
可选地,在确定的所述存储模式为大容量模式时,所述根据确定的所述 存储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整的步骤包括:
确定所述闪存存储设备的备份块所具有的容量;
根据用户对所述备份块所具有的容量的调整,将调整的容量所对应的备 份块设置为逻辑块。
可选地,在确定的所述存储模式为稳定模式时,所述根据确定的所述存 储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整的步骤包括:
确定所述闪存存储设备的逻辑块所具有的容量;
根据用户对所述逻辑块所具有的容量的调整,将调整的容量所对应的逻 辑块设置为备份块。
可选地,在确定的所述存储模式为速度模式时,所述根据确定的所述存 储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整的步骤包括:
获取所述闪存存储设备中构架为多层单元的逻辑块的工作模式及其具有 的容量,其中,所述工作模式包括SLC模式和非SLC模式;
根据用户对所述多层单元的逻辑块所具有的容量的调整,将调整的容量 所对应的多层单元的逻辑块的工作模式转换为SLC模式。
可选地,在确定的所述存储模式为超稳定高速模式时,所述根据确定的 所述存储模式对所述闪存存储设备的存储容量进行相应的调整的步骤包括:
获取所述闪存存储设备中构架为多层单元的逻辑块的工作模式,其中, 所述工作模式包括SLC模式和非SLC模式;
将所述多层单元的逻辑块中工作模式为非SLC模式的所有逻辑块的工作 模式转换为SLC模式。
此外,为实现上述目的,本发明还提供一种闪存存储设备的管理装置, 所述闪存存储设备的管理装置包括:
接收模块,用于接收存储模式切换指令;
确定模块,用于根据所述存储模式切换指令确定切换后的所述闪存存储 设备的存储模式;
调整模块,用于根据确定的所述存储模式对所述闪存存储设备的存储容 量进行相应的调整。
可选地,在确定的所述存储模式为大容量模式时,所述调整模块包括:
确定单元,用于确定所述闪存存储设备的备份块所具有的容量;
设置单元,用于根据用户对所述备份块所具有的容量的调整,将调整的 容量所对应的备份块设置为逻辑块。
可选地,在确定的所述存储模式为稳定模式时,所述确定单元,还用于 确定所述闪存存储设备的逻辑块所具有的容量;
所述设置单元,还用于根据用户对所述逻辑块所具有的容量的调整,将 调整的容量所对应的逻辑块设置为备份块。
可选地,在确定的所述存储模式为速度模式时,所述调整模块包括:
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