[发明专利]FDSOI电容器

权利要求书

1.一种制造包括电容器结构的半导体装置的方法，包括步骤：

提供SOI晶圆，该SOI晶圆包括衬底、形成于该衬底上方的氧化物埋层以及形成于该氧化物埋层上方的半导体层，其中，该衬底包括形成该电容器结构的第一电容器电极的掺杂区域；

移除该晶圆的第一区中的该半导体层，以暴露该氧化物埋层；

在该第一区中的该暴露氧化物埋层上方形成介电层，以形成电容器绝缘体；以及

在该介电层上方形成导电层，以形成该电容器结构的第二电容器电极。

2.如权利要求1所述的方法，还包括通过形成隔离物结构来定义该晶圆的该第一区以及第二区，且还包括移除邻近该隔离物结构的该第二区的第一部分中的该半导体层及该氧化物埋层，同时保持邻近该第一部分的该第二区的第二部分中的该半导体层及该氧化物埋层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该介电层及该导电层形成于该晶圆的该第一及第二区中，且所述的方法还包括在该导电层上方形成掩膜层，图案化该掩膜层以暴露该第二区的该第一部分中的该导电层，以及移除该晶圆的该第二区的该第一部分中的该导电层及该介电层。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该介电层及该导电层形成于该晶圆的该第一及第二区中以及该隔离物结构上方，且所述的方法还包括在该导电层上方形成掩膜层，图案化该掩膜层以暴露位于该第二区的该第一部分中的该导电层以及邻近该第一部分的该隔离物结构的一部分，以及移除位于该晶圆的该第二区的该第一部分的该导电层及该介电层中以及自该隔离物结构的暴露部分移除该导电层及该介电层。

5.如权利要求2所述的方法，还包括在该晶圆的该第二区的该第二部分以及与该第一区及该第二区的至少其中一者电性隔离的该晶圆的第三区的至少其中一者中形成晶体管装置，以及其中，该晶体管装置的栅极电极包括该导电层的一部分且该晶体管装置的栅极介电质包括该介电层的一部分。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该晶体管装置为全耗尽SOI装置。

7.如权利要求2所述的方法，其中，该介电层形成于该隔离物结构上方以及该晶圆的该第二区上方，且随后从该第二区的该第一部分以及部分地从该隔离物结构被移除。

8.如权利要求2所述的方法，其中，该导电层形成于该隔离物结构上方以及该晶圆的该第二区上方，且随后从该第二区的该第一部分以及部分地从该隔离物结构被移除。

9.如权利要求2所述的方法，还包括在该第一及第二区以及该隔离物结构上方形成层间介电质，在该层间介电质中形成抵达该晶圆的该第一区中的该导电层以及该第二区的该第一部分中的该衬底的接触开口，以及使用接触材料填充该接触开口。

10.如权利要求9所述的方法，还包括硅化该导电层以及该第二区的该第一部分中的该衬底，以使该接触开口分别抵达该硅化导电层及该衬底。

11.如权利要求2所述的方法，其中，移除邻近该第二区的该第一部分的该隔离物结构的一部分。

12.如权利要求2所述的方法，还包括在位于该晶圆的该第一区及该第二区的该第一部分中的该衬底中注入掺杂物。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体层具有小于30纳米的厚度，该介电层具有小于20纳米的厚度，以及该氧化物埋层具有低于30纳米的厚度。