[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干浮栅结构，在相邻的所述浮栅结构之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；

回蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料，以形成凹槽，露出所述浮栅结构的部分侧壁，其中在所述浮栅结构的侧壁上有隔离材料残留；

对所述凹槽中暴露的所述浅沟槽隔离结构中的隔离材料进行离子注入，以在所述浅沟槽隔离结构的隔离材料中形成离子注入层，其中，所述离子注入层的湿法蚀刻速率大于所述隔离材料的湿法蚀刻速率，所述离子注入层包括对应于残留于所述浮栅结构侧壁上的隔离材料的离子注入层；

进行湿法清洗，以去除所述离子注入层，从而将所述浮栅结构侧壁上残留的隔离材料去除。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隔离材料包括氧化物。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子为VA族重金属元素。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子为砷离子。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述湿法清洗为软蚀刻。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入包括注入方向与所述半导体衬底的表面垂直方向具有夹角的倾斜离子注入和注入方向与所述半导体衬底的表面垂直的垂直离子注入。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，选用地毯式干法蚀刻去除所述浅沟槽隔离结构中的部分隔离材料。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述浮栅结构和浅沟槽隔离结构的方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成浮栅层和掩膜层；

图案化所述掩膜层、所述浮栅层和所述半导体衬底，以形成若干相互隔离的浮栅结构以及位于所述浮栅结构之间的浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离材料，以形成所述浅沟槽隔离结构；

去除所述掩膜层。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述回蚀刻之后，所述浅沟槽隔离结构中的隔离材料在所述浮栅结构侧壁上的部分的厚度比其它部分厚。