[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备有效
| 申请号: | 201610004485.0 | 申请日: | 2007-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN105675555B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | T·特鲁科;R·A·巴多斯 | 申请(专利权)人: | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G01N21/66;G01N21/956 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;王红艳 |
| 地址: | 澳大利亚*** | 国省代码: | 澳大利亚;AU |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 发光 成像 测试 间接 半导体器件 方法 设备 | ||
1.一种用来识别太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的方法,所述太阳能电池包括间接带隙半导体晶片的一部分,所述间接带隙半导体晶片具有至少一个设置在其表面上的金属图案,所述方法包括步骤:
激发所述太阳能电池发光;
捕获所发射的光的至少一个图像;以及
根据所述至少一个图像中的区域的强度的比较来识别所述太阳能电池中的电隔离或不良连接区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述金属图案包括包含多个电连接到至少一条母线的平行指状物的栅格,并且其中,所述电隔离或不良连接区域包括在一个或多个选自下列组的项中的断裂,所述组包括:
指状物;
母线;以及
指状物和母线之间的连接。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,激发所述太阳能电池发光的所述步骤包括利用电信号激发所述太阳能电池以引起电致发光的发射的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,根据对所述电致发光图像中强度相对较低的区域的检测来识别断裂的指状物。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,强度相对较低的所述区域包括紧邻指状物的一部分的伸长区域。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其中,激发所述太阳能电池发光的所述步骤包括下列子步骤:利用适于引起光致发光的入射光照射所述太阳能电池;以及同时相对于开路值改变所述太阳能电池的接触端两端的电压电平。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,同时改变所述太阳能电池的接触端两端的电压电平的所述子步骤包括选自下列步骤组的步骤,所述步骤组包括:
在所述太阳能电池的接触端的两端施加外部偏置;
在所述太阳能电池的接触端的两端施加负载;
在所述太阳能电池的接触端的两端应用短路;
在所述太阳能电池的接触端的两端施加电压;
将电流注入到所述太阳能电池的接触端中;以及
从所述太阳能电池的接触端抽取电流。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,所述太阳能电池的接触端的电压电平相对于开路值减小,并且其中,根据对强度相对较高的区域的检测来识别断裂的指状物。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,强度相对较高的所述区域包括紧邻指状物的一部分的伸长区域。
10.一种用来识别太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的设备,所述太阳能电池包括间接带隙半导体晶片的一部分,所述间接带隙半导体晶片具有至少一个设置在其表面上的金属图案,所述设备包括:
用来激发所述太阳能电池发光的激发装置;
用来捕获所发射的光的至少一个图像的图像捕获装置;以及
用来根据所述至少一个图像中的区域的强度的比较来识别所述太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的装置。
11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述金属图案包括包含多个电连接到至少一条母线的平行指状物的栅格,并且其中,所述电隔离或不良连接区域包括在一个或多个选自下列组的项中的断裂,所述组包括:
指状物;
母线;以及
指状物和母线之间的连接。
12.根据权利要求10或11所述的设备,其中,所述激发装置包括用来施加电信号到所述太阳能电池的接触端以在所述太阳能电池中引起电致发光的电信号产生装置。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,用来识别所述太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的装置适于根据对电致发光图像中强度相对较低的区域的检测来识别断裂的指状物或指状物和母线之间的断裂的连接。
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