[发明专利]防止过孔穿通的无掩模气隙

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，包括：

在衬底上的绝缘层上的多个导电特征的顶表面上沉积第一刻蚀停止层；

在沉积所述第一刻蚀停止层后，在所述多个导电特征之间的气隙之上沉积第二刻蚀停止层；以及

刻蚀所述第一刻蚀停止层以形成到所述多个导电特征中的至少一个的过孔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述多个导电特征上沉积第一牺牲层，其中，

所述第一牺牲层的第一材料被沉积在所述多个导电特征之间的绝缘层的第一部分上，并且所述第一牺牲层的第二材料层被沉积在所述多个导电特征上；以及

去除所述第二材料层以暴露所述多个导电特征的部分，

其中，所述第一刻蚀停止层被沉积在所述导电特征的被暴露的部分上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，烘烤所述第二刻蚀停止层以包封所述气隙。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括

刻蚀所述绝缘层以形成所述气隙。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层具有不同的刻蚀特性。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一刻蚀停止层包括氮化物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二刻蚀停止层包括金属纳米颗粒。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括

使所述第二刻蚀停止层凹陷；

在凹陷的第二刻蚀停止层上沉积第三刻蚀停止层；

在所述第三刻蚀停止层上沉积互连层；以及

在所述互连层中形成过孔。

9.一种提供无掩模气隙工艺的方法，包括：

使衬底上的绝缘层上的多个导电特征上的第一牺牲层固化，以使所述第一牺牲层的第一材料对准到所述导电特征之间的绝缘层的第一部分，并且使所述第一牺牲层的第二材料对准到所述多个导电特征；

刻蚀所述第一材料以暴露所述绝缘层的所述第一部分；

将第二牺牲层沉积到所述绝缘层的被暴露的第一部分上；

去除所述第二材料层以暴露所述导电特征的部分；

在所述导电特征的被暴露的部分上沉积第一刻蚀停止层；以及

在所述导电特征中的至少两个之间形成气隙。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括

在所述气隙之上沉积第二刻蚀停止层。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括

在所述第一刻蚀停止层上沉积第三刻蚀停止层；

在所述第三刻蚀停止层上沉积互连层；以及

在所述互连层中形成过孔。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一材料包括聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）材料，以及

其中，所述第二材料包括聚苯乙烯（PS）材料。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一刻蚀停止层包括可填充氮化物。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二牺牲层包括含硅聚合物。

15.一种电子器件，包括：

在衬底上的绝缘层上的多个导电特征的顶表面上的第一刻蚀停止层；

在所述多个导电特征之间的气隙之上的第二刻蚀停止层；以及

与所述第二刻蚀停止层相邻、接触所述多个导电特征中的至少一个的过孔。

16.根据权利要求15所述的电子器件，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层具有不同的刻蚀特性。