[发明专利]包括无空隙孔的电子组件

权利要求书

1.一种电子组件，其包括：

芯，其包括通孔，其中所述芯具有大于200微米的厚度；

导电无电镀晶种层，其覆盖所述芯的两侧和所述通孔的侧壁；

干膜抗蚀剂，其覆盖导电无电镀无晶种层的两侧的部分；以及

导电电镀层，其填充所述通孔并且在所述芯的两侧上形成导电图案而在所述通孔中不具有空隙。

2.如权利要求1所述的电子组件，其中所述导电图案包括导电迹线，所述导电迹线具有小于25微米的线间隔，其中线厚度大于25微米。

3.如权利要求1所述的电子组件，其中所述导电无电镀晶种层是铜。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述导电无电镀晶种层的厚度是大约1微米。

5.如权利要求1所述的电子组件，其中所述导电电镀层是铜。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述导电电镀层在所述芯的两侧上的厚度是大约25微米。

7.一种方法，其包括：

用导电无电镀层来覆盖具有大于200微米的厚度的芯，所述导电无电镀层覆盖所述芯的两侧和所述芯中的通孔的侧壁；

向所述芯的两侧应用干膜抗蚀剂；

使所述干抗蚀剂膜曝光和显影以在所述芯的两侧上形成图案；以及

用导电材料对所述芯电镀以填充所述通孔而在所述通孔中没有空隙并且在所述芯的两侧上形成导电图案。

8.如权利要求7所述的方法，其中用导电材料对所述芯电镀包括用铜对所述芯电镀。

9.如权利要求7所述的方法，其中对所述芯电镀包括对所述芯的两侧电镀来形成导电迹线，所述导电迹线具有小于25微米的线间隔，其中线厚度大于25微米。

10.如权利要求7所述的方法，其中用所述导电无电镀层覆盖所述芯包括用铜覆盖所述芯。

11.如权利要求10所述的方法，其中用无电镀铜覆盖所述芯包括用大约1微米的无电镀铜覆盖所述芯。

12.如权利要求7所述的方法，其中用导电材料对所述芯电镀包括使所述芯取向，使得所述芯是垂直的并且所述通孔的纵轴是水平的。

13.一种方法，其包括：

用导电材料对芯的两侧和芯的通孔电镀以便用所述导电材料覆盖所述芯的两侧并且在所述通孔中形成导电桥，其中所述芯具有大于200微米的厚度；

蚀刻覆盖所述芯的两侧的所述导电材料来使所述导电材料的所述厚度减少至大约1微米；

向所述芯应用干膜抗蚀剂；

使所述干抗蚀剂膜曝光和显影以在所述芯的两侧上的所述导电材料上形成图案；以及

将附加导电材料电镀到（i）所述芯的两侧上的所述导电材料；（ii）所述通孔内的所述导电材料；以及（iii）所述导电桥上，以便用导电材料填充所述通孔而没有任何空隙并且在所述芯的两侧上形成导电图案。

14.如权利要求13所述的方法，其中用导电材料对芯的两侧和芯的所述通孔电镀以便用所述导电材料覆盖所述芯的两侧并且在所述芯中的所述通孔中形成导电桥包括用铜对所述芯的两侧和所述芯的所述通孔电镀。

15.如权利要求13所述的方法，其中使所述干抗蚀剂膜曝光和显影以在所述芯的两侧上的所述导电材料上形成图案包括形成具有小于25微米的线间隔的、其中线厚度大于25微米的图案。

16.如权利要求13所述的方法，进一步包括在所述芯中形成所述通孔。

17.如权利要求16所述的方法，其中在所述芯中形成所述通孔包括对所述通孔激光钻削。