[发明专利]用于创建延伸到晶体管的有栅极区域中的缓冲部的设备和方法

权利要求书

1.一种微电子结构，包括：

衬底；

低带隙有源沟道；

设置在所述衬底和所述低带隙有源沟道之间的高带隙子结构，其中，所述高带隙子结构与所述低带隙有源沟道毗邻；

与所述高带隙子结构毗邻的至少一个隔离结构，其中，所述高带隙子结构的一部分从所述至少一个隔离结构延伸出来；以及

有栅极区域，其包括所述低带隙有源沟道和所述高带隙子结构的从所述至少一个隔离结构延伸出来的所述部分。

2.根据权利要求1所述的微电子结构，其中，所述高带隙子结构包括从如下材料组成的组中选择的材料：砷化铟铝、磷化铟、磷化镓、砷化镓、砷锑化镓、砷锑化铝、砷化铟铝镓、磷化铟铝镓、以及砷化铝镓。

3.根据权利要求1所述的微电子结构，其中，所述低带隙有源沟道包括从如下材料组成的组中选择的材料：砷化铟镓、砷化铟和锑化铟。

4.根据权利要求1所述的微电子结构，还包括延伸到所述衬底中的成核沟槽，其中，所述高带隙子结构从所述成核沟槽延伸出来。

5.根据权利要求4所述的微电子结构，其中，所述成核沟槽包括具有(111)切面的成核沟槽。

6.根据权利要求1所述的微电子结构，其中，所述高带隙子结构具有大于大约50nm的深度和小于大约25nm的宽度。

7.根据权利要求1到6中的任一项所述的微电子结构，还包括形成在所述有栅极区域之上的栅极。

8.一种制造微电子结构的方法，包括：

在衬底上形成至少一个鳍状物，其中，所述至少一个鳍状物包括从所述衬底延伸出来的一对相对侧壁；

形成与所述鳍状物侧壁的每者毗邻的隔离结构；

通过去除所述至少一个鳍状物而形成沟槽；

在所述沟槽中形成高带隙子结构；

在所述沟槽中形成低带隙有源沟道，所述低带隙有源沟道与所述高带隙子结构毗邻；以及

使所述隔离结构凹陷，以使所述高带隙子结构的至少一部分和所述低带隙有源沟道在所述隔离结构上方延伸。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述高带隙子结构包括由从如下材料组成的组中选择的材料形成所述高带隙子结构：砷化铟铝、磷化铟、磷化镓、砷化镓、砷锑化镓、砷锑化铝、砷化铟铝镓、磷化铟铝镓和砷化铝镓。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述低带隙有源沟道包括由从如下材料组成的组中选择的材料形成所述低带隙有源沟道：砷化铟镓、砷化铟和锑化铟。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述沟槽还包括形成延伸到所述衬底中的成核沟槽。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述成核沟槽包括形成具有(111)切面的成核沟槽。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述高带隙子结构包括形成具有大于大约50nm的深度和小于大约25nm的宽度的所述高带隙子结构。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述高带隙子结构的在所述隔离结构上方延伸的所述部分和所述有源沟道之上形成栅极。

15.一种电子系统，包括：

板；以及

附接至所述板的微电子部件，其中，所述微电子部件能够包括至少一个微电子晶体管，所述微电子晶体管包括：

微电子衬底；

低带隙有源沟道；

设置在所述衬底和所述低带隙有源沟道之间的高带隙子结构，其中，所述高带隙子结构与所述低带隙有源沟道毗邻；

与所述高带隙子结构毗邻的至少一个隔离结构，其中，所述高带隙子结构的一部分从所述至少一个隔离结构延伸出来；

有栅极区域，其包括所述低带隙有源沟道和所述高带隙子结构的从所述至少一个隔离结构延伸出来的所述部分；以及

形成于所述有栅极区域之上的栅极。

16.根据权利要求15所述的电子系统，其中，所述高带隙子结构包括从如下材料组成的组中选择的材料：砷化铟铝、磷化铟、磷化镓、砷化镓、砷锑化镓、砷锑化铝、砷化铟铝镓、磷化铟铝镓、以及砷化铝镓。

17.根据权利要求15所述的电子系统，其中，所述低带隙有源沟道包括从如下材料组成的组中选择的材料：砷化铟镓、砷化铟和锑化铟。