[发明专利]具有大接合焊盘和减小接触电阻的GaN基肖特基二极管有效
| 申请号： | 201580076664.9 | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107534060B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 林伊尹 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 高丽萍 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 接合 减小 接触 电阻 gan 基肖特基 二极管 | ||
1.一种半导体设备，其包括：
基底；
第一有源层，其布置在基底上；
第二有源层，其布置在第一有源层上，第二有源层相比第一有源层来说具有更高带隙，从而使得第一有源层和第二有源层之间产生二维电子气层；
第一电极，其建立与第二有源层的肖特基结，所述第一电极包括第一电极焊盘和与第一电极焊盘电接触的第一指状电极序列；以及
第二电极，其建立与第一有源层的欧姆结，所述第二电极包括第二电极焊盘和与第二电极焊盘电接触的第二指状电极序列，第一和第二指状电极序列形成叉指模式，以及第一电极焊盘定位在第一和第二指状电极序列上，所述第二电极焊盘由第一电极焊盘围绕。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括介电层，其位于第一电极焊盘和第二指状电极序列之间。
3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第二电极焊盘定位于上方并与第二指状电极序列的远端电气接触。
4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一和第二指状电极序列每个包括彼此间隔开的第一和第二电极部，第一和第二指状电极序列的第一电极部形成第一叉指模式，以及第一和第二指状电极序列的第二电极部形成与第一叉指模式空间间隔的第二叉指模式。
5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一有源层包括III族氮化物半导体材料。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述第一有源层包括GaN。
7.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第二有源层包括III族氮化物半导体材料。
8.根据权利要求7所述的半导体设备，其特征在于，所述第二有源层包括AlXGa1-XN，其中0X1。
9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述第二有源层选自由AlGaN、AlInN、和AlInGaN组成的群组。
10.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一指状电极序列的每个电极是圆形。
11.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一指状电极序列的至少一个电极是矩形。
12.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一指状电极序列的每个电极是六边形。
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