[发明专利]半导体层叠体在审
| 申请号： | 201580072769.7 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107112214A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 神原健司;和田圭司;本家翼 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 层叠 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体层叠体，包括：
碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；以及
由碳化硅构成的外延层，所述外延层被设置在所述第一主表面上，
其中，所述第二主表面的粗糙度的平均值Ra为0.1μm或更大且1μm或更小，并且标准偏差为所述平均值的25％或更小。
2.根据权利要求1所述的半导体层叠体，其中，当所述第一主表面被向上放置时，所述半导体层叠体具有大于0μm且10μm或更小的弯曲。
3.根据权利要求1或2所述的半导体层叠体，其中，所述半导体层叠体具有75mm或更大的直径。
4.根据权利要求1或2所述的半导体层叠体，其中，所述半导体层叠体具有100mm或更大的直径。
5.根据权利要求1或2所述的半导体层叠体，其中，所述半导体层叠体具有150mm或更大的直径。
6.根据权利要求1或2所述的半导体层叠体，其中，所述半导体层叠体具有200mm或更大的直径。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的半导体层叠体，其中，所述碳化硅衬底和碳化硅外延层每个都包含产生多数载流子的杂质，以及
所述碳化硅衬底中的杂质浓度高于所述外延层中的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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