[发明专利]高压开关

权利要求书

1.一种高压开关，包括：

开关器件，所述开关器件是具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常关断的n沟道器件；

晶体管的链，所述晶体管是均具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常导通的n沟道JFET，其中，所述晶体管以漏极至源极的方式串联连接，其中，所述链中的第一个晶体管的源极连接至所述开关器件的漏极；

对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的倒数第二个晶体管的每个晶体管，存在与所述晶体管相关联的钳位器件，其中，所述钳位器件的阳极连接至所述晶体管的源极，而所述钳位器件的阴极连接至所述链中的下一个晶体管的栅极；

附加的钳位器件，其与所述链中的第一个晶体管相关联，其中，所述附加的钳位器件的阳极连接至所述链中的第一个晶体管的源极，而所述附加的钳位器件的阴极连接至所述链中的第二个晶体管的栅极；

其中，所述链中的第一个晶体管的栅极连接至所述开关器件的源极；并且

对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的最后一个晶体管的每个晶体管，负载电路包括电阻器，所述负载电路连接在所述晶体管的漏极与所述晶体管的栅极之间。

2.根据权利要求1所述的高压开关，其中：

所述开关器件是n沟道MOSFET、JFET、SIT、BJT或IGBT。

3.根据权利要求1或2所述的高压开关，其中：

所述开关器件是n沟道MOSFET。

4.根据权利要求1或2所述的高压开关，其中：

所述开关器件具有50V或更小的额定电压。

5.根据权利要求1或2所述的高压开关，其中：

每个负载电路还包括晶体管。

6.根据权利要求1或2所述的高压开关，还包括：

对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的最后一个晶体管的每个晶体管，动态平衡电路包括电容器，所述动态平衡电路连接在所述晶体管的栅极与所述开关器件的源极之间。

7.根据权利要求1或2所述的高压开关，还包括：

对于从所述链中的第一个晶体管到所述链中的倒数第二个晶体管的每个晶体管，动态平衡电路包括电容器，所述动态平衡电路连接在所述晶体管的源极与所述链中的下一个晶体管的栅极之间。

8.一种高压开关，包括：

开关器件，所述开关器件是具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常关断的n沟道器件；

晶体管的链，所述晶体管是均具有栅极端子、漏极端子以及源极端子的常导通的n沟道JFET，其中，所述晶体管以漏极至源极的方式串联连接，其中，所述链中的第一个晶体管的源极连接至所述开关器件的漏极；

对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的倒数第二个晶体管的每个晶体管，存在与所述晶体管相关联的钳位器件，其中，所述钳位器件的阳极连接至所述晶体管的源极，而所述钳位器件的阴极连接至所述链中的下一个晶体管的栅极；

对于所述链中的从所述链中的第二个晶体管到所述链中的最后一个晶体管的每个晶体管，负载电路包括电阻器，所述负载电路连接在所述晶体管的漏极与所述晶体管的栅极之间；

第一附加钳位器件，其中，所述第一附加钳位器件的阳极连接至所述开关器件的源极，而所述第一附加钳位器件的阴极连接至所述链中的第一个晶体管的栅极；

第二附加钳位器件，其中，所述第二附加钳位器件的阳极连接至所述链中的第一个晶体管的源极，而所述第二附加钳位器件的阴极连接至所述链中的第二个晶体管的栅极；以及

附加的负载电路，所述附加的负载电路连接在所述链中的第一个晶体管的漏极和栅极之间。

9.根据权利要求8所述的高压开关，其中：

所述开关器件是n沟道MOSFET、JFET、SIT、BJT或IGBT。

10.根据权利要求8或9所述的高压开关，其中：

所述开关器件是n沟道MOSFET。