[发明专利]半导体晶圆的支撑方法及其支撑装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆的支撑方法，对于通过利用加热灯的快速升降温热处理装置来热处理的半导体晶圆，利用固定在底盘的至少3条支撑销在所述底盘的上方在所述晶圆的下表面水平地进行支撑，其特征在于，

所述支撑销整体地形成有：具有与所述半导体晶圆的下表面接触的接触部的前端部、固定在所述底盘的基部、以及从所述前端部到所述基部为止的筒状部，

所述前端部形成为尖端比所述筒状部细，

以所述筒状部及所述基部不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式倾斜地配置所述支撑销。

2.如权利要求1所述的支撑方法，其中，在所述底盘的上表面形成有凹部，所述基部插入所述凹部而固定于所述底盘。

3.如权利要求2所述的支撑方法，其中，所述基部插入所述凹部并利用焊接直接固定在所述底盘。

4.如权利要求1所述的支撑方法，其中，在所述底盘的上表面固接有保持所述基部或所述基部和所述筒状部的销支架，且所述销支架以不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式配置。

5.如权利要求1所述的支撑方法，其中，在所述底盘形成有使所述基部或所述基部能够贯通的贯通孔，在所述底盘的下表面固接有保持贯通所述贯通孔的所述基部或所述基部和所述筒状部的销支架，且所述销支架以不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式配置。

6.如权利要求1至5任一项所述的支撑方法，其中，所述支撑销的材质为石英或SiC，所述底盘的材质为石英。

7.如权利要求1至6任一项所述的支撑方法，其中，所述支撑销以所述前端部比所述基部更靠所述底盘的外侧的方式倾斜地配置。

8.如权利要求1至6任一项所述的支撑方法，其中，所述支撑销以所述前端部比所述基部更靠所述底盘的内侧的方式倾斜地配置。

9.一种半导体晶圆的支撑装置，水平地支撑通过利用加热灯的快速升降温热处理装置进行热处理的半导体晶圆，其特征在于，具有至少3条支撑销和用于固定所述支撑销的底盘，所述支撑销整体地形成有：具有与所述半导体晶圆的下表面接触的接触部的前端部、固定在所述底盘的基部、以及从所述前端部到所述基部为止的筒状部，所述前端部形成为尖端比所述筒状部细，以所述筒状部及所述基部不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式倾斜地配置所述支撑销。

10.如权利要求9所述的支撑装置，其中，在所述底盘的上表面形成有凹部，所述基部插入所述凹部而固定于所述底盘。

11.如权利要求10所述的支撑装置，其中，所述基部插入所述凹部并利用焊接直接固定在所述底盘。

12.如权利要求9所述的支撑装置，其中，在所述底盘的上表面固接有保持所述基部或所述基部和所述筒状部的销支架，且所述销支架以不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式配置。

13.如权利要求9所述的支撑装置，其中，在所述底盘形成有使所述基部或所述基部能够贯通的贯通孔，在所述底盘的下表面固接有保持贯通所述贯通孔的所述基部或所述基部和所述筒状部的销支架，且所述销支架以不与从所述接触部向所述底盘侧垂下的垂直线接触的方式配置。

14.如权利要求9至13任一项所述的支撑装置，其中，所述支撑销的材质为石英或SiC，所述底盘的材质为石英。

15.如权利要求9至14任一项所述的支撑装置，其中，所述支撑销以所述前端部比所述基部更靠所述底盘的外侧的方式倾斜地配置。

16.如权利要求9至14任一项所述的支撑装置，其中，所述支撑销以所述前端部比所述基部更靠所述底盘的内侧的方式倾斜地配置。