[发明专利]极紫外波长范围的掩模的制造方法、掩模和设备

权利要求书

1.一种由掩模坯体(250，350，550，950)制造极紫外波长范围的掩模的方法，所述掩模坯体具有缺陷(220，320，520，620，920)，其中，所述方法包括下列步骤：

a.将所述缺陷(220，320，520，620，920)归类为至少一个第一组和至少一个第二组，其中所述至少一个第一组包括不可修复缺陷，所述至少一个第二组包括可修复缺陷；

b.将优先权分配给所述至少一个第二组的缺陷，其中所述优先权包括：用于修复所述至少一个第二组的缺陷的费用，和/或当修复所述至少一个第二组的缺陷时的风险，和/或当修复所述至少一个第二组的缺陷时的复杂度和/或所述至少一个第二组的缺陷的有效缺陷尺寸(370，740)；

c.优化所述掩模坯体(250，350，550，950)上的吸收体图案(170)的布置，以通过布置的吸收体图案(170)补偿所述至少一个第一组的最大数量的缺陷；以及

d.将优化的吸收体图案(170)施加到所述掩模坯体(250，350，550，950)。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：通过修复方法至少部分地修复所述至少一个第二组的缺陷。

3.如权利要求2所述的方法，其中，修复所述缺陷(220，320，520，620，920)包括修改施加的吸收体图案(170)的至少一个元件和/或修改所述掩模坯体(250，350，550，950)的表面(260，360，560)的至少一个部分。

4.如权利要求1或2所述的方法，还包括以下步骤：

在施加到所述掩模坯体之前，进一步优化所述吸收体图案的一个或多个元件，以至少部分地补偿所述至少一个第二组的一个或多个缺陷的效应。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤c.包括：

通过制造集成电路的方法，从掩模叠层(940)的吸收体图案中选择吸收体图案(170)。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤c.包括：

选择所述掩模坯体(250，350，550)的取向、移位所述掩模坯体(250，350，550，950)和/或旋转所述掩模坯体(250，350，550，950)。

7.如权利要求1或2所述的方法，还包括以下步骤：表征所述掩模坯体(250，350，550，950)的缺陷(220，320，520，620，920)，以确定通过修改吸收体图案(170)是否能够修复缺陷(220，320，520，620，920)或者是否必须通过优化所述吸收体图案(170)的布置补偿缺陷(220，320，520，620，920)。

8.如权利要求7所述的方法，其中，表征所述缺陷(220，320，520，620，920)还包括：确定有效缺陷尺寸(370，740)，其中，所述有效缺陷尺寸(370，740)包括缺陷(220，320，520，620，920)这样的部分：在其修复或补偿之后，所述缺陷的剩余部分(380)不再在曝光的晶片上是可见的，和/或其中所述有效缺陷尺寸由表征缺陷(220，320，520，620，920)的误差确定和/或基于用于曝光的光源的非远心性确定。

9.如权利要求7所述的方法，其中，表征所述缺陷(220，320，520，620，920)还包括：确定所述缺陷(220，320，520，620，920)在所述掩模坯体(250，350，550，950)的多层结构(240，340，540)中的传播(660)。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中，步骤a.包括：如果缺陷(220，320，520，620，920)不能通过表面敏感测量来检测，如果缺陷(220，320，520，620，920)超过预定尺寸和/或如果在确定缺陷(220，320，520，620，920)的位置(430)时的不同测量方法产生不同结果，则将所述缺陷(220，320，520，620，920)归类为至少一个第一组。