[发明专利]度量方法、目标和衬底

权利要求书

1.一种测量光刻工艺的参数的方法，所述方法包括：

用辐射照射衬底上的衍射测量目标，所述测量目标包括至少第一子目标和至少第二子目标，其中所述第一子目标和所述第二子目标均包括成对的周期性结构，以及其中所述第一子目标具有与所述第二子目标不同的设计，所述不同的设计包括与第二子目标周期性结构相比具有不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割的第一子目标周期性结构，以及其中所述第一子目标针对第一工艺堆叠条件而被设计，并且所述第二子目标针对不同于所述第一工艺堆叠条件的第二工艺堆叠条件而被设计；以及

检测由至少所述第一子目标和所述第二子目标散射的辐射，以针对该目标获得表示所述光刻工艺的参数的测量结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一子目标至少部分地覆盖第五周期性结构，并且所述第二子目标至少部分地覆盖第六周期性结构，其中所述第五周期性结构在所述衬底上位于与所述第六周期性结构不同的层处。

3.一种衍射测量目标，包括至少第一子目标和至少第二子目标，其中所述第一子目标和所述第二子目标均包括成对的周期性结构，以及其中所述第一子目标具有与所述第二子目标不同的设计，所述不同的设计包括与第二子目标周期性结构相比具有不同节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割的第一子目标周期性结构，以及其中所述第一子目标针对第一工艺堆叠条件而被设计，并且所述第二子目标针对不同于所述第一工艺堆叠条件的第二工艺堆叠条件而被设计。

4.根据权利要求3所述的目标，其中当在衬底上时所述第一子目标至少部分地覆盖第五周期性结构并且所述第二子目标至少部分地覆盖第六周期性结构，以及所述第五周期性结构在与所述第六周期性结构不同的层处。

5.一种测量光刻工艺的参数的方法，所述方法包括：

用辐射照射衬底上的衍射测量目标，所述测量目标包括在第一层中的至少第一子目标和至少第二子目标，其中所述第一子目标包括第一周期性结构，并且所述第二子目标包括第二周期性结构，其中第三周期性结构在所述第一层下方的不同的第二层中至少部分地位于所述第一周期性结构下方，并且在所述第二层中没有周期性结构在所述第二周期性结构下方，以及其中第四周期性结构在所述第二层下方的第三不同层中至少部分地位于所述第二周期性结构下方，以及其中所述第一子目标针对第一工艺堆叠条件而被设计，并且所述第二子目标针对不同于所述第一工艺堆叠条件的第二工艺堆叠条件而被设计；以及

检测由至少所述第一周期性结构至所述第四周期性结构散射的辐射，以针对该目标获得表示所述光刻工艺的参数的测量结果。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一子目标具有与所述第二子目标不同的设计。

7.一种衍射测量目标，包括当在衬底上时在第一层中的至少第一子目标和至少第二子目标，其中所述第一子目标包括第一周期性结构，并且所述第二子目标包括第二周期性结构，以及包括第三周期性结构，其在所述衬底上时在所述第一层下方的不同的第二层中至少部分地位于所述第一周期性结构下方，并且在所述第二层中没有周期性结构在所述第二周期性结构下方，以及包括第四周期性结构，其在所述衬底上时在所述第二层下方的第三不同层中至少部分地位于所述第二周期性结构下方，以及其中所述第一子目标针对第一工艺堆叠条件而被设计，并且所述第二子目标针对不同于所述第一工艺堆叠条件的第二工艺堆叠条件而被设计。

8.根据权利要求7所述的目标，其中所述第一子目标具有与所述第二子目标不同的设计。