[发明专利]分子筛SSZ-102及其合成

权利要求书

1.一种具有ESV骨架拓扑结构并具有5至12的SiO₂/Al₂O₃摩尔比的结晶分子筛，其中所述分子筛以其煅烧形式具有如下表所示的X射线衍射图：

2-θ	d-间隔,nm	相对强度
7.60±0.20	1.162	W
8.01±0.20	1.103	M
9.74±0.20	0.908	M
12.02±0.20	0.736	M
13.44±0.20	0.658	VS
13.70±0.20	0.646	VS
14.11±0.20	0.627	VS
14.56±0.20	0.608	W
15.30±0.20	0.579	W
15.87±0.20	0.558	W
16.20±0.20	0.547	W
17.16±0.20	0.516	W
17.96±0.20	0.493	W
18.38±0.20	0.482	W
19.12±0.20	0.464	VS
19.31±0.20	0.459	VS
19.70±0.20	0.450	S
20.39±0.20	0.435	W
20.89±0.20	0.425	W
21.16±0.20	0.419	M
21.34±0.20	0.416	M

其中所提供的粉末XRD图基于相对强度标度，其中X射线衍射图中的最强线被指定为100：W＝弱，即>0至≤20；M＝中，即>20至≤40；S＝强，即>40至≤60；VS＝非常强，即>60至≤100。