[发明专利]多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅块破碎装置

权利要求书

1.一种多晶硅破碎物，是由破碎多晶硅块而得，其中：

粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.1～40ppmw，

该多晶硅破碎物的90质量％以上是2～90mm的粒子尺寸。

2.如权利要求1所述的多晶硅破碎物，其中：

粒子尺寸小于500μm的硅尘的含有比例是3～140ppmw。

3.如权利要求1所述的多晶硅破碎物，其中：

该多晶硅破碎物的90重量％以上具有4～60mm的粒子尺寸，粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是1～30ppmw，粒子尺寸小于500μm的硅尘的含有比例是10～60ppmw。

4.如权利要求1所述的多晶硅破碎物，其中：

该多晶硅破碎物的90重量％以上具有2～40mm的粒子尺寸，粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是2～40ppmw，粒子尺寸小于500μm的硅尘的含有比例是20～140ppmw。

5.如权利要求1所述的多晶硅破碎物，其中：

该多晶硅破碎物的90重量％以上具有20～90mm的粒子尺寸，粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.5～25ppmw，粒子尺寸小于500μm的硅尘的含有比例是5～50ppmw。

6.如权利要求1至5任一项所述的多晶硅破碎物，其中：

金属造成的表面污染为0.5～50ppbw。

7.如权利要求6所述的多晶硅破碎物，其中：

表面污染的金属包括Na、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Co、W所组成的群。

8.一种多晶硅块破碎装置，包括：

破碎部，将从原料投入口投入的原料多晶硅块，以外力负荷构件的动作机械地破碎，产生含有粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的多晶硅破碎物，并从排出口排出该多晶硅破碎物；

落下移动部，延续于该破碎部的下方，使得从该排出口排出的该多晶硅破碎物因重力而落下移动；以及

阻挡部，位于该落下移动部的下方，阻挡经过该落下移动部落下移动后的该多晶硅破碎物，

其中该落下移动部具有吸引除去部，将包含于该多晶硅破碎物的该多晶硅粉的至少一部分吸引到与该落下移动方向不同的方向加以除去，

该吸引除去部以1～20m3/分的吸引量吸气，

被该阻挡部阻挡的该多晶硅块的90质量％以上是2～90mm的粒子尺寸。

9.如权利要求8所述的多晶硅块破碎装置，其中：

该外力负荷构件具有可动的可动齿与固定的固定齿，该破碎部是将从上方的该原料投入口投入的该原料多晶硅块夹入该可动齿与该固定齿之间而破碎，并从下方的该排出口排出该多晶硅破碎物的构造。

10.如权利要求8或9所述的多晶硅块破碎装置，还包括：

滑动尘埃吸引部，吸引伴随着该外力负荷构件的动作而滑动的滑动部产生的滑动尘埃。

11.一种多晶硅破碎物的制造方法，使用如权利要求8至10任一项所述之多晶硅块破碎装置。

12.如权利要求11所述的多晶硅破碎物的制造方法，包括：

吹气工序，对于被该阻挡部阻挡的该多晶硅破碎物吹出空气。

13.一种多晶硅破碎物，通过如权利要求11或12的制造方法获得。