[发明专利]玻璃陶瓷、锂离子导体、电池、电子装置及电极的制造方法

权利要求书

1.一种玻璃陶瓷，包括含有锂、硅和硼的氧化物，

所述玻璃陶瓷具有这样的X射线衍射光谱，其中至少两个峰出现在20° ≤ 2θ ≤ 25°的范围内并且至少两个峰出现在25° < 2θ ≤ 30°的范围内，

所述氧化物包括至少69 mol%的锂的氧化物，

所述玻璃陶瓷具有这样的拉曼光谱，其中峰X出现在920 cm^-1至940 cm^-1的拉曼位移区域中并且峰Y出现在820 cm^-1至850 cm^-1的拉曼位移区域中，并且所述峰X的面积强度与所述峰Y的面积强度的比X/Y为至少2.0。

2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其具有通过核磁共振法测量的至多6秒的⁷Li核自旋晶格弛豫时间。

3.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其中

所述氧化物包括锂的氧化物、硅的氧化物和硼的氧化物，

基于所述锂的氧化物、所述硅的氧化物和所述硼的氧化物的总量，所述锂的氧化物的含量为69 mol%至73 mol%，

基于所述锂的氧化物、所述硅的氧化物和所述硼的氧化物的总量，所述硅的氧化物的含量为8 mol%至40 mol%，并且

基于所述锂的氧化物、所述硅的氧化物和所述硼的氧化物的总量，所述硼的氧化物的含量为10 mol%至50 mol%。

4.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其中

所述氧化物进一步包括选自由以下组成的组中的至少一种：Na、Mg、Al、P、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Se、Rb、S、Y、Zr、Nb、Mo、Ag、In、Sn、Sb、Cs、Ba、Hf、Ta、W、Pb、Bi、Au、La、Nd和Eu。

5.一种电池，包括正极、负极和电解质层，其中，

所述正极、所述负极和所述电解质层中的至少一个包含玻璃陶瓷，所述玻璃陶瓷具有这样的X射线衍射光谱，其中至少两个峰出现在20° ≤ 2θ ≤ 25°的范围内并且至少两个峰出现在25° < 2θ ≤ 30°的范围内，

所述玻璃陶瓷包括含有锂、硅和硼的氧化物，

所述氧化物包括至少69 mol%的锂的氧化物，

所述玻璃陶瓷具有这样的拉曼光谱，其中峰X出现在920 cm^-1至940 cm^-1的拉曼位移区域中并且峰Y出现在820 cm^-1至850 cm^-1的拉曼位移区域中，并且所述峰X的面积强度与所述峰Y的面积强度的比X/Y为至少2.0。

6.一种电子装置，具有包括正极、负极和电解质层的电池并且被配置为从所述电池接收电力供应，其中

所述正极、所述负极和所述电解质层中的至少一个包含玻璃陶瓷，所述玻璃陶瓷具有这样的X射线衍射光谱，其中至少两个峰出现在20° ≤ 2θ ≤ 25°的范围内并且至少两个峰出现在25° < 2θ ≤ 30°的范围内，

所述玻璃陶瓷包括含有锂、硅和硼的氧化物，

所述氧化物包括至少69 mol%的锂的氧化物，

所述玻璃陶瓷具有这样的拉曼光谱，其中峰X出现在920 cm^-1至940 cm^-1的拉曼位移区域中并且峰Y出现在820 cm^-1至850 cm^-1的拉曼位移区域中，并且所述峰X的面积强度与所述峰Y的面积强度的比X/Y为至少2.0。

7.一种锂离子导体，包括含有锂、硅和硼的氧化物，

所述锂离子导体具有这样的X射线衍射光谱，其中至少两个峰出现在20° ≤ 2θ ≤25°的范围内并且至少两个峰出现在25° < 2θ ≤ 30°的范围内，

所述氧化物包括至少69 mol%的锂的氧化物，

所述锂离子导体具有这样的拉曼光谱，其中峰X出现在920 cm^-1至940 cm^-1的拉曼位移区域中并且峰Y出现在820 cm^-1至850 cm^-1的拉曼位移区域中，并且所述峰X的面积强度与所述峰Y的面积强度的比X/Y为至少2.0。