[发明专利]静电吸盘装置有效
| 申请号: | 201580051119.4 | 申请日: | 2015-09-24 |
| 公开(公告)号: | CN106716619B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | 河野仁;高桥健太郎;牛坊文洋 | 申请(专利权)人: | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/3065;H02N13/00;B23Q3/15 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 方应星;高培培 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 吸盘 装置 | ||
1.一种静电吸盘装置,其特征在于,具备:
载置台,设有载置板状试样的载置面;
环状的聚焦环,配置在所述载置台上,将所述载置面的周围包围;及
冷却单元,对所述载置台及所述聚焦环进行冷却,
所述载置台具有保持部,所述保持部在所述载置面的周围沿着所述聚焦环的周向设置并对所述聚焦环进行静电吸附,
所述保持部具有:一对堤部,沿着所述周向设置并载置所述聚焦环;及环状的槽部,形成在所述一对堤部之间,
所述冷却单元向所述槽部供给传热气体,
在所述槽部的底面设有凸部,
所述一对堤部与所述聚焦环接触,
所述凸部与所述聚焦环不接触,
所述一对堤部与所述凸部协作而对所述聚焦环进行静电吸附。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述凸部包含多个突起。
3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述凸部包含凸条部。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述凸部的面积为所述槽部的面积的10%以上且80%以下。
5.根据权利要求1所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述聚焦环的下表面与所述凸部的顶点之间的间隔距离为1μm以上且10μm以下。
6.根据权利要求1所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述载置台具有由电介质层构成的载置面,该电介质层的形成材料是由从氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化钇(Y2O3)及碳化硅(SiC)中选择的1种构成的陶瓷、或者包含其中2种以上的复合陶瓷。
7.根据权利要求6所述的静电吸盘装置,其特征在于,
所述电介质层的形成材料是平均结晶粒径为10μm以下的陶瓷材料。
8.一种静电吸盘装置,其特征在于,具备:
载置台,设有载置板状试样的载置面;
环状的聚焦环,配置在所述载置台上,将所述载置面的周围包围;及
冷却单元,对所述载置台及所述聚焦环进行冷却,
所述载置台具有保持部,所述保持部在所述载置面的周围沿着所述聚焦环的周向设置并对所述聚焦环进行静电吸附,
所述保持部具有:一对堤部,沿着所述周向设置并载置所述聚焦环;及环状的槽部,形成在所述一对堤部之间,
在所述一对堤部中的至少位于所述聚焦环的外周侧的堤部上,在与所述聚焦环相对的面上形成包含多个微小突起的微小突起部,
所述冷却单元向所述槽部供给传热气体,
所述多个微小突起与所述聚焦环接触并对所述聚焦环进行静电吸附。
9.根据权利要求8所述的静电吸盘装置,其特征在于,
在所述一对堤部的双方上,在与所述聚焦环相对的面上形成所述微小突起部,
所述多个微小突起与所述聚焦环接触并对所述聚焦环进行静电吸附。
10.根据权利要求8或9所述的静电吸盘装置,其特征在于,
在所述一对堤部中,从位于所述聚焦环的外周侧的所述堤部的传热气体的流出量比从另一方的堤部的传热气体的流出量多。
11.根据权利要求8所述的静电吸盘装置,其特征在于,
在所述聚焦环的外周侧的所述堤部上设置的所述多个微小突起彼此的分离距离比在所述聚焦环的内周侧的所述堤部上设置的所述多个微小突起彼此的分离距离宽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





