[发明专利]有机电场发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201580049525.7 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN107078221B 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 多田匡志;甲斐孝弘;堀田正则;小川淳也;坂井満;池永裕士;上田季子;野口胜秀 申请(专利权)人: 日铁化学材料株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C09K11/06;H05B33/10
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 彭雪瑞;臧建明
地址: 日本东京千代*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 电场 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种有机电场发光元件,其是在对向的阳极与阴极之间包含一个以上的发光层的有机电场发光元件,其特征在于:通过真空蒸镀而制作的至少一个所述发光层含有主体材料及发光性掺杂剂材料,其中所述主体材料为预混合有选自下述通式(1)所表示的化合物中的两种以上的化合物;

此处,Z为通式(2)所表示的含吲哚咔唑环的基,环A为式(2a)所表示的芳香族烃环,环B为式(2b)所表示的杂环,所述环A及所述环B分别与邻接的环缩合;

L1与L2独立地为碳数6~30的芳香族烃基或碳数3~18的芳香族杂环基,Ar1与Ar2独立地为碳数6~30的芳香族烃基、碳数3~18的芳香族杂环基、或这些中2个~6个连结而成的连结芳香族基;

R独立地为氰基、碳数1~10的脂肪族烃基、碳数12~44的二芳基氨基、碳数12~44的二芳基硼基、碳数6~18的芳香族烃基或碳数3~18的芳香族杂环基;

a表示1,b表示0~3的整数,c与d独立地表示0~4的整数,e表示0~2的整数,f表示0~3的整数;

其中,L1、L2、Ar1、Ar2及R不为所述通式(2)所表示的含吲哚咔唑环的基;

经预混合的主体材料中所含的两种以上的化合物的至少一种是L1与L2的仅一个为碳数3~18的含氮芳香族杂环基的化合物。

2.根据权利要求1所述的有机电场发光元件,其特征在于:经预混合的主体材料中所含的两种以上的化合物的至少两种是L1与L2的仅一个为碳数3~18的含氮芳香族杂环基的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的有机电场发光元件,其特征在于:经预混合的主体材料中所含的两种以上的化合物的蒸发温度的差为20℃以内。

4.根据权利要求1或2所述的有机电场发光元件,其特征在于:所述发光性掺杂剂材料为含有包含选自钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、铂及金中的至少一种金属的有机金属络合物的磷光发光掺杂剂材料。

5.根据权利要求1或2所述的有机电场发光元件,其特征在于:所述发光性掺杂剂材料为荧光发光掺杂剂材料。

6.根据权利要求1或2所述的有机电场发光元件,其特征在于:所述发光性掺杂剂材料为热活化延迟荧光发光掺杂剂材料。

7.一种有机电场发光元件的制造方法,其特征在于:在制造根据权利要求1至6中任一项所述的有机电场发光元件时,通过真空蒸镀含有主体材料及发光性掺杂剂材料的材料而制作至少一个发光层,其中所述主体材料预混合有选自所述通式(1)所表示的化合物中的两种以上的化合物。

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