[发明专利]利用注入的可流动膜性质调谐

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，所述方法包含以下步骤：

供应物种到在基板上的可流动层；以及

通过将所述物种注入到所述可流动层来调整所述可流动层的性质，其中所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述任意组合。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

调整所述物种的温度、能量、剂量以及质量中的至少一个，以控制所述性质。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述物种包含硅、氢、锗、硼、碳、氧、氮、氩、氦、氖、氪、氙、氡、砷、磷或上述的任意组合。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

在所述基板上形成多个鳍结构；

在所述多个鳍结构之间填充所述可流动层；

以及

去除至少一部分的所述可流动层。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

图案化硬掩模层以形成多个沟槽；

将所述可流动层填入所述多个沟槽中；以及

去除至少一部分的图案化硬掩模层，同时使所述可流动层的多个部分保持完整，其中所述掩模层是通过注入所述物种进行修改，以提高所述蚀刻选择性。

6.一种制造电子器件的方法，所述方法包含以下步骤：

在基板上的多个特征上沉积可流动层；

注入物种到所述多个特征上的所述可流动层，以调整所述可流动层与所述多个特征中的至少一个的蚀刻选择性。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：

调节所述物种的温度。

8.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：

氧化所述可流动层。

9.如权利要求6所述的方法，进一步包含以下步骤：

在所述多个特征上形成侧壁间隔物；

选择性去除所述多个特征中的至少一个。

10.如权利要求6所述的方法，其中进一步包含以下步骤：

调整:所述物种的能量、剂量以及质量中的至少一个，以控制所述蚀刻选择性。

11.一种制造电子器件的设备，所述设备包含：

处理腔室，所述处理腔室包含底座，所述底座用以保持工件，所述工件包含在基板上的可流动层；

离子源，所述离子源被耦接到所述处理腔室和电磁系统，用以供应物种到所述可流动层；

处理器，所述处理器被耦接到所述离子源，其中所述处理器具有第一配置，用以通过控制到所述可流动层的物种注入来调整所述可流动层的性质，其中所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述的任意组合。

12.如权利要求15所述的设备，其中所述处理器具有第二配置，用以调整所述物种的温度、能量、剂量以及质量中的至少一个，以控制所述性质。

13.如权利要求15所述的设备，其中所述物种包含硅、氢、锗、硼、碳、氧、氮、氩、氦、氖、氪、氙、氡、砷、磷或上述的任意组合。

14.如权利要求15所述的设备，其中所述处理器具有第三配置，用以控制氧化所述可流动层，以及其中所述处理器具有第四配置，用以控制去除至少一部分的经修改的可流动层。

15.如权利要求15所述的设备，其中所述可流动层被沉积在所述基板上的图案化硬掩模层上，并且所述处理器具有第五配置，用以控制去除所述图案化硬掩模层，同时使所述经修改的可流动层的多个部分保持完整。