[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的交流发电机和电力转换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置具备：

第1外部电极，其在一个面具有圆形的外周部；

MOSFET芯片，其具有漏极、源极以及栅极；

控制电路芯片，其输入所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极的电压或者电流，将基于该电压或者电流控制所述MOSFET芯片的信号向所述MOSFET芯片的所述栅极供给；

第2外部电极，其相对于所述MOSFET芯片配置于所述第1外部电极的相反侧，在所述第1外部电极的圆形的外周部的中心轴上具有外部端子；以及

绝缘基板，其使所述控制电路芯片与所述第1外部电极或所述第2外部电极电绝缘，

所述第1外部电极、所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极以及所述第2外部电极以在所述中心轴方向上重叠的方式配置，

所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极电连接，

所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具备连接到所述控制电路芯片的电源之间的电容器，

所述MOSFET芯片和所述绝缘基板配置于所述第1外部电极上或所述第2外部电极上，

所述控制电路和所述电容器配置于所述绝缘基板上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

该半导体装置还具备齐纳二极管，

所述齐纳二极管的第1主端子与所述第1外部电极电连接，

所述齐纳二极管的第2主端子与所述第2外部电极电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述齐纳二极管被内置于所述MOSFET芯片内。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET芯片的形状是长方形，在与所述长方形的长边邻接的位置配置所述电容器和所述控制电路芯片。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1外部电极的所述圆形的外周部或者底面部具有绕所述圆形的外周部的中心轴的定位用的凹部或凸部。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的一方与所述第1外部电极之间的电连接、以及所述MOSFET芯片的所述漏极和所述源极中的另一方与所述第2外部电极之间的电连接经由焊锡连接或被压接来连接。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET芯片与所述控制电路芯片之间的电连接、以及所述控制电路芯片与所述电容器之间的电连接由电线进行连接。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET芯片与所述控制电路芯片、以及所述控制电路芯片与所述电容器各自的电极间由具有导体和弹簧的导体机构进行电连接，

所述导体经由焊锡被固定于所述电极上，所述导体机构通过基于所述弹簧的弹力的按压被固定于所述电极上。

10.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1外部电极具有收敛于所述圆形的外周部内的大小的底座，

在该底座上搭载有所述MOSFET芯片和所述绝缘基板，所述绝缘基板搭载有所述控制电路芯片和所述电容器，

所述底座、所述MOSFET芯片、所述控制电路芯片、所述电容器以及所述绝缘基板由第1树脂覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1树脂内，所述MOSFET芯片和所述控制电路芯片的侧壁由第2树脂覆盖，

所述第2树脂与所述MOSFET芯片和所述控制电路芯片之间的密合性比所述第1树脂与所述MOSFET芯片和所述控制电路芯片之间的密合性高。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述MOSFET芯片具备n型的MOSFET。

13.一种交流发电机，其特征在于，

具备权利要求1所述的半导体装置。