[发明专利]用于太阳能电池制造的蚀刻工艺有效
| 申请号: | 201580046434.8 | 申请日: | 2015-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN107078183B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
| 发明(设计)人: | 斯科特·哈林顿;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁;斯塔凡·韦斯特贝格;彼得·约翰·卡曾斯 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 太阳能电池 制造 蚀刻 工艺 | ||
本发明提供了一种制造太阳能电池的方法,所述方法可包括在硅基板上方形成第一掺杂剂区,以及在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区。在一个实施例中,所述氧化物区可保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺。在一个实施例中,可在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区,其中可形成掩模以保护所述第二掺杂剂区的第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺。在一个实施例中,可执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板和/或硅区的多个部分。可执行第二蚀刻工艺来形成沟槽区,以将所述太阳能电池的第一掺杂区和第二掺杂区隔离开。可执行第三蚀刻工艺以从所述太阳能电池移除污染物,以及移除所述氧化物区的任何剩余部分。
背景技术
光伏(PV)电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射转换为电能的装置。一般来讲,照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的P掺杂区和N掺杂区,从而在掺杂区之间形成电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区,以将电流从电池引导至外部电路。将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时,从所有的PV电池收集的电能可以按串联布置方式和并联布置方式加以组合,以提供具有某一电压和电流的电源。
效率是太阳能电池的重要特性,因为其直接关系到太阳能电池的发电能力。因此,通常需要用于改进太阳能电池的制造工艺、降低其制造成本以及提高其效率的技术。
附图说明
图1示出了根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程示意图。
图2至图7示出了根据一些实施例的太阳能电池在各种工序的剖视图。
具体实施方式
以下具体实施方式在本质上只是说明性的,而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用,词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施优选的或有利的。此外,并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或语境:
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用,该术语并不排除其他结构或步骤。
“被构造成”。各个单元或部件可被描述或声明成“被构造成”执行一项或多项任务。在这样的语境下,“被构造成”用于通过指示该单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此,即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如,未开启/激活)时,也可将该单元/部件说成是被构造成执行任务。详述某一单元/电路/部件“被构造成”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
“第一”、“第二”等。如本文所用的这些术语用作其之后的名词的标记,而并不暗示任何类型的顺序(例如,空间、时间和逻辑等)。例如,提及“第一”蚀刻工艺并不一定暗示该蚀刻工艺为某一序列中的第一个蚀刻工艺;而是术语“第一”用于区分此蚀刻工艺与另一个蚀刻工艺(例如,“第二”蚀刻工艺)。
“基于”。如本文所用,该术语用于描述影响确定结果的一个或多个因素。该术语并不排除可影响确定结果的另外因素。也就是说,确定结果可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于B确定A”。尽管B可以是影响A的确定结果的因素,但这样的短语并不排除A的确定结果还基于C。在其他实例中,A可以仅基于B来确定。
“耦接”—以下描述是指元件或节点或结构特征被“耦接”在一起。如本文所用,除非另外明确指明,否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通),并且不一定是机械连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳能公司,未经太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





