[发明专利]溅射靶及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201580002219.8 | 申请日： | 2015-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN105637114B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张守斌 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 朴圣洁,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶，其特征在于，其是含有0.5～10at％的Al及0.01～10000重量ppm的B或P，剩余部分由Si及不可避免的杂质构成的烧结体，
所述烧结体的体积电阻为10Ω·cm以下，并且，理论密度比为85％～99％，抗折强度为65N/mm2以上。
2.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，
将含有B或P的平均粒径为150μm以下的Si粉末；及由Al构成的粉末或包含所述Al的硅化物粉末，调配成Al元素成为0.5～10at％，B或P的含量成为0.01～10000重量ppm并进行混合，且进行加压烧结。
3.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，
将平均粒径为150μm以下的Si粉末；B粉末或P粉末；及由Al构成的粉末或包含所述Al的硅化物粉末，调配成Al元素成为0.5～10at％，B或P的含量成为0.01～10000重量ppm并进行混合，且进行加压烧结。
4.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，
将含有B或P的平均粒径为150μm以下的Si粉末；及由Al构成的粉末或包含所述Al的硅化物粉末，调配成Al元素成为0.5～10at％，B或P的含量成为0.01～10000重量ppm并进行混合，且进行喷镀烧结。
5.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，
将平均粒径为150μm以下的Si粉末；B粉末或P粉末；及由Al构成的粉末或包含所述Al的硅化物粉末，调配成Al元素成为0.5～10at％，B或P的含量成为0.1～20000重量ppm并进行混合，且进行喷镀烧结。
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