[实用新型]一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环及边环单元

说明书

技术领域

本实用新型涉及干刻技术领域，尤其涉及一种边环及边环单元。

背景技术

在真空加工室中采用干刻蚀技术对基片进行加工的过程中，用于支承基片 的结构，往往包括边环(edgering)，该边环如图1阴影部分所示。边环存在的 目的，主要是要将等离子体限制在工作区域内及防止氦气侧漏。

在现有技术中，边环是由多个边环单元(如图1所示)组合构成的。边环 单元一般为长条形或“L”形，并且，所述长条形或“L”形的两端，各边环单 元连接的接触面一般均为光滑平面(如图2a和图2b所示)。

由于边环存在较大的缝隙，将导致刻蚀过程中发生氦气侧漏，进而使得基 板上漂，工作平台上发生弧光放电，对设备产生严重损害。因此，需要对边环 单元之间的缝隙大小进行严格的控制。

目前，利用边环单元构建边环时，为防止边环单元之间的缝隙过大，需要 技术人员依靠经验，对边环单元进行放置，使得边环单元之间的各个缝隙大小 均匀，不至于出现边环单元之间的缝隙过大导致氦侧漏的问题。

上述方式存在的问题在于，需要依靠技术人员凭经验控制缝隙大小，因而 精确度较低，从而构建完成的边环仍然可能面临氦侧漏的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种边环，用以解决现有技术中依靠技术人员凭经 验控制缝隙大小，因而精确度较低，从而构建完成的边环仍然可能面临氦侧漏 的问题。

本实用新型实施例还提供一种边环单元。

本实用新型实施例采用下述技术方案：

一种应用于干刻设备工艺腔室中的边环，包括：

多个边环单元；

各边环单元分别设置有连接结构，所述连接结构设置在各边环单元的两 端；各边环单元通过所述连接结构连接在一起构成所述边环，使得所述边环存 在的各缝隙大小均小于规定阈值。

可选的，所述连接结构可以包括下述至少一种：卡槽连接结构、螺纹连接 结构。

可选的，分别设置在边环单元的两端的连接结构为第一卡槽连接结构和第 二卡槽连接结构，其中，所述第一卡槽连接结构包括凸起物或凹槽，所述第二 卡槽连接结构包括凸起物或凹槽。

本实用新型实施例还提供一种边环单元，包括：连接结构，所述连接结构 分别设置在边环单元的两端。

可选的，所述的连接结构包括下述至少一种：卡槽连接结构、螺纹连接结 构。

可选的，分别设置在边环单元的两端的连接结构为第一卡槽连接结构和第 二卡槽连接结构；其中，所述第一卡槽连接结构包括凸起物或凹槽，所述第二 卡槽连接结构包括凸起物或凹槽。

本实用新型实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

由于可以采用连接结构对不同边环单元进行连接构成边环，边环存在的缝 隙大小，可由该连接结构决定，无需技术人员凭经验控制，从而相对于现有技 术而言，可以实现精确控制缝隙大小。当连接结构使得构建而成的边环存在的 各缝隙大小均小于规定阈值时，相比于现有技术而言，可以避免构建完成的边 环面临氦侧漏的问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型 的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构 成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为边环的结构示意图；

图2a为现有技术中长条形边环单元示意图；

图2b为现有技术中“L”形边环单元示意图；

图3a为本实用新型实施例中两端设置有凹槽的边环单元示意图；

图3b为本实用新型实施例中两端设置有凸起物的边环单元示意图；

图3c为本实用新型实施例中一端设置凹槽，一端设置凸起物的边环单元 示意图；

图4为本实用新型实施例中边环单元卡槽结构连接的示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整地描述。显 然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基 于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下 所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。