[实用新型]一种金属陶瓷表贴封装晶体管阵列板

权利要求书

1.一种金属陶瓷表贴封装晶体管阵列板，其特征在于：所述晶体管阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层；第一导电层上的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的半导体层；至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层，该第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜；覆盖该半导体层的钝化层；以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层，其中，至少该上部膜的一边缘位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三导电层接触下部膜的该第一部分；上部膜的边缘横贯下部膜；钝化层具有至少部分露出下部膜的该第一部分的接触孔；第三导电层的至少一部分位于钝化层上；以及上部膜的该至少一边缘不与接触孔的边界重合；钝化层接触接触孔附近的下部膜；下部膜包含Cr、Mo或Mo合金；还包括位于半导体层与第二导电层之间的欧姆接触层；欧姆接触层具有与第二导电层基本相同的平面形状；半导体层的边界或者与第二导电层的边界大致重合，或者位于第二导电层之外；第三导电层包括ITO或IZO。

2.根据权利要求1所述的晶体管阵列板，其特征在于：所述阵列板还包括设置在基板上的数据线；所述数据线与第一栅极线相交，所述第一栅极线包括栅电极；所述第一栅极绝缘层，设置在栅极线上并具有暴露所述数据线的接触孔；所述钝化层设置在半导体层上；进一步包括设置在所述半导体层和所述钝化层之间的绝缘体层；还包括层间绝缘层，该层间绝缘层设置在数据线和栅极线之间；第三导电层包括接触漏极电极的像素电极；钝化层具有用于漏极电极与像素电极之间的接触的第一接触孔、露出第一导电层的一部分的第二接触孔、以及露出数据线的一部分的第三接触孔，并且第三导电层包括通过第二接触孔接触第一导电层的第一接触辅助部分、以及通过第三接触孔接触数据线的第二接触辅助部分；第二导电层的第一部分不平坦。

3.根据权利要求1所述的晶体管阵列板，其特征在于：所述晶体管阵列板还包括陶瓷金属化管底座、金属盖板，其中金属盖板与陶瓷金属化外壳封装构成管壳，在管壳上设置扁平外引线，在陶瓷金属化管底座上均设有八部分独立且平行排列的金属化区域，将八个硅整流二极管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上，用硅铝丝将硅整流二极管芯片与外引线的管壳腔体内部部分进行电气连接，管壳腔体内部采用AB胶进行填充。

4.根据权利要求1所述的晶体管阵列板，其特征在于：所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成，所述基板由外而内共有5层，分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层，每层的厚度为0.5-3mm。