[实用新型]一种具有反射层的四结太阳能电池有效
| 申请号： | 201520934527.1 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN205194710U | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张小宾;刘建庆;陈丙振;王雷;马涤非;刘雪珍;吴波;张杨;杨翠柏 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁莹 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射层 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有反射层的四结太阳能电池，包括有Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底为p型 Ge单晶片；在所述Ge衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲 层、AlGaAs/GaInAsDBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池和GaInP子电池；所述 GaInAs/GaInP缓冲层和AlGaAs/GaInAsDBR反射层之间通过第一隧道结连接，所述GaInNAs 子电池和GaInAs子电池通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和GaInP子电池通过第三 隧道结连接；其中，所述AlGaAs/GaInAsDBR反射层用于反射长波光子，使长波光子被 GaInNAs子电池二次吸收。
2.根据权利要求1所述的一种具有反射层的四结太阳能电池，其特征在于：所述 AlGaAs/GaInAsDBR反射层的反射波长为900～1200nm。
3.根据权利要求1所述的一种具有反射层的四结太阳能电池，其特征在于：所述 AlGaAs/GaInAsDBR反射层中AlGaAs/GaInAs组合层的对数为10对到30对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
